Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre II : circuits analogiques élémentairesRésistance : trois types de résistances sont disponibles.Type de résistance largeur min (µm) valeur (/ ) Coefficient de température(10 -3 /K)Polysilicium 1 0,8 21 1,0Polysilicium 2 1,6 67 -0,3Rnwell 5,0 3600 6,6Tableau 2-2 : paramètres typiques des résistances du procédé AMS BiCMOS 0,8 µm.Transistors MOS : NMOS et PMOS à grille en polysilicium, longueur de grille minimalede 0,8 µm.Paramètres NMOS PMOS Unitéépaisseur d'oxyde T ox 16 16 nmtension de seuil V TH 0,72 -0,77 Vfacteur de transconductance K P 100 36 µA / V 2mobilité effective µ 463 162 cm 2 / V stension de claquage 0,8 µm BV DS0 13 -12 Vlongueur de canal effective 0,8 µm 0,66 0,75 µmdopage effectif du substrat N sub 7,6 10 16 2,8 10 16 cm -3courant de saturation 0,8 µm I DS0 400 -200 µA / µmcourant du substrat 0,8 µm I sub 0,8 - µA / µmTableau 2-3 : paramètres typiques des transistors MOS de 20 µm X 0,8 µm du procédé AMSBiCMOS 0,8 µm.Transistors bipolaires : npn vertical et pnp latéral.Paramètres npn pnp latéral unitécourant de saturation 1,2 10 -18 0,39 10 -18 A / mgain en courant 100 200tension d'Early 32 10 Vtension de claquage BV EB0 5 - Vtension de claquage BV CB0 16 - Vtension de claquage BV CE0 7 - Vfréquence de transition f T 12 0,06 GHzSurface d'émetteur SE 3 x 0,8 3,6 x 3,6 m 2surface totale S BJT 11,8 x 9 - m 2Tableau 2-4 : paramètres typiques des transistors bipolaires NPN et PNP latéral45