Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre II : circuits analogiques élémentairesLe choix d'une technologie la plus standard possible sera le gage d'un faible coût et de lareproductibilité de nos travaux. Cependant, l'usage de transistors bipolaires simplifiantgrandement notre conception, nous n'avons pas retenu un procédé CMOS et c'est finalement leprocédé AMS BiCMOS 0,8 µm que nous avons sélectionné pour tous les circuits présentésdans ce manuscrit. Les technologies SiGe et GaAs, quant à elles, sont plutôt destinées à desapplications hautes fréquences et ne répondent pas du tout à nos critères de standardisation etde coût.type de technologieCMOS 0,8 m 2P/2MBiCMOS 0,8 m 2P/2MSiGe 0,8 mCMOS 0,6 m 2P/3MCMOS 0,35 m 2P/3M(4M)CMOS 0,25 m 6MCMOS 0,18 m 6MGaAs HEMT 0,2 mnom et sociétéCYE société AMSBYQ société AMSBYR société AMSCUP société AMSCSI société AMSHCMOS7 société ST microelectronicsHCMOS8 société ST microelectronicsED02AH société PhilipsTableau 2-1 : technologies disponibles par l'intermédiaire du CMP au 1 janvier 2000. (XP etXM, nombre de niveaux de polysilicium et de métal).La technologie BiCMOS est dérivée du procédé CMOS 0,8 m numérique de la société AMS.La modification a consisté à ajouter un certain nombre d'étapes technologiques permettant laréalisation d'éléments nécessaires à certains circuits de l'électronique analogique : transistorsbipolaires et condensateurs linéaires à armatures en polysilicium. Les transistors MOS restentidentiques à ceux développés pour la technologie CMOS, et les bibliothèques numériquesCMOS sont directement réutilisables. La technologie comporte deux niveaux de métal et deuxniveaux de polysilicium. Les différents composants disponibles et leurs caractéristiques sontles suivants :Condensateur : la faible épaisseur d'oxyde entre les deux couches de polysilicium permetd'obtenir des condensateurs de valeur intéressante. A l'inverse des capacités de jonctionsou des capacités MOS, celles des condensateurs poly1/poly2 sont indépendantes destensions appliquées au composant.Capacité par unité de surface : 1,77 fF / µm 2Capacité par unité de longueur : 0,20 fF / µm44