Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Annexe A : procédé de fabrication de la technologie AMS BiCMOS 0,8 µmANNEXE APROCEDE DE FABRICATION DE LA TECHNOLOGIE AMSBICMOS 0,8 µMLa société AMS a développé le procédé technologique BiCMOS 0,8 m à partir de sonprocédé CMOS 0,8 m. La modification tient à l'ajout d'un certain nombre d'étapestechnologiques permettant la réalisation d'éléments nécessaires à l'électronique analogique,transistors bipolaires et condensateurs linéaires à armatures en polysilicium.La vue en coupe schématique ci-dessous illustre les éléments de cette technologie en faisantapparaître ses différentes couches.Substrat Pcollecteur base émetteur source grille drain source grille drainBPSGP+ N- poly2 poly1N+ N- P+ P-N+puits Npuits Pcouche enterrée N+couche enterrée Poxyde de champNPN vertical NMOS PMOS condensateurpoly2poly1puits NFigure A-1 : vue en coupe schématique pour le procédé technologique AMS BiCMOS 0,8 m.Les différentes étapes technologiques sont les suivantes :1. Diffusion des couches enterrées N et P dans un substrat P. Ces couches enterréespermettent de diminuer les résistances d'accès de collecteur des transistors bipolairesNPN, et de limiter les risques de latch-up dus aux thyristors parasites des transistors MOSen dégradant le gain des transistors bipolaires parasites verticaux.2. Croissance de la couche épitaxiale N où seront implantées les structures actives.3. Formation des puits N et P.4. Isolation des éléments par oxyde de champ.5. Formation des collecteurs.6. Oxyde de grille.7. Dépôt du silicium polycristallin (Poly 1) qui est utilisé pour les grilles des transistorsMOS et les transistors PNP latéraux, les résistances de faible valeur et les capacitésPoly 1 / Poly2.211