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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre III : circuits intégrés réalisés.rafraîchissement, afin que le premier circuit ne redémarre que sous le contrôle du next dusecond circuit.5.3.2. Gestion du compteur externe.Sa remise à zéro est commandée par le <strong>de</strong>rnier circuit <strong>de</strong> la chaîne grâce au signal next . C'estest un "OU" entre carry <strong>et</strong> res<strong>et</strong> ce qui perm<strong>et</strong> <strong>de</strong> rem<strong>et</strong>tre le compteur à zéro lors <strong>de</strong>l'application du signal res<strong>et</strong>.L’autorisation <strong>de</strong> comptage cpten3s est un signal trois états afin que les circuits <strong>et</strong> ledispositif externe perm<strong>et</strong>tant le remplissage <strong>de</strong> la SRAM puissent contrôler le compteur à tour<strong>de</strong> rôle.5.3.3. Gestion <strong>de</strong> la SRAM.93 12 bits A10..A0 D15 (msb) D14 ……. D11 D10 ……. D0 (lsb)000hParamètres U005Dh…….3A7hParamètres U103FBh400h7544AhTopologieU10…….Topologie U07FFhTableau 3-8 : organisation <strong>de</strong> la mémoire <strong>de</strong> stockage (2 circuits SRAM 2 ko X 8) pour unmaximum <strong>de</strong> 11 circuits.La sélection <strong>de</strong> la zone <strong>de</strong> mémoire utilisée (topologie ou paramètres) est assurée par le signaltrois étatsramselect3 s .135

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