Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre III : circuits intégrés réalisés.un NMOS (données indiquées par le fondeur). Ce type de claquage (punchthrough)correspond à l'extension de la zone d'inversion du drain jusqu'à la source qui provoque la miseen conduction brutale du transistor. La différence de potentiel entre un condensateur destockage et la tension fournie par le CNA ne doit pas dépasser ces valeurs au risque de rendreconducteurs les interrupteurs ouverts. Temps de maintien.Lors de l'ouverture de l'interrupteur, le condensateur de stockage se décharge en raison desdifférents courants de fuite. Le temps de maintien est donc directement lié à cette décharge.Pour ces mesures, le condensateur relié à un plot de sortie n'est pas utilisable. Le plotcomporte en effet des diodes de protection contre les ESD de grande dimension. Elles sontpolarisées en inverses et présentent un courant inverse non-négligeable, la mesure de ladécharge n'est donc pas caractéristique d'un condensateur uniquement relié à des grilles deMOS. Nous avons donc utilisé le circuit permettant d'injecter le courant de compensation. Lastructure du convoyeur de courant qui le constitue utilise un amplificateur opérationnel montéen suiveur dont la sortie est reliée à une résistance externe. C'est ce signal que nous avonsmesuré à l'ouverture de l'interrupteur pour différentes valeurs de paramètre :6Vcapa (V)5,5Pente en V/s :54,50.610.510.440.360.2843,5t (s)30 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5Figure 3-22 : décharge du condensateur de stockage interrupteur ouvert en fonction de latension mémorisée.Le taux de décharge maximum vaut de l'ordre de 0,61 V/s, ce qui pour un condensateur devaleur 1 pF correspond à un courant de fuite total de : 1 pF 0,65 V/s 0,65 pA .122