Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre III : circuits intégrés réalisés.5,4Vmem (V)5,4Vmem (V)5,25,2554,84,84,64,64,44,4t (ms)t (ms)A)4,20 1 2 3 4 5 6 7B)4,20 1 2 3 4 5 6 7Figure 3-20 : A) activité tonique d'un modèle à deux conductances réalisé avec un circuit"annie". B) comparaison avec un circuit n'utilisant pas de mémoire analogique intégrée.Nous vérifions la validité du fonctionnement en injectant un courant de stimulation constantqui permet de faire varier la période de répétition des potentiels d'actions :900800f (Hz)700600500400300200100I injecté (A)00,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2Figure 3-21 : variation de la fréquence des potentiels d'actions en fonction du courant injecté.Le circuit fonctionne donc correctement, et nous souhaitons maintenant évaluer lesperformances du stockage analogique; pour cela, nous utilisons un des condensateurs destockage qui est directement relié à une broche du circuit. Nous avons ajouté un transistorMOS externe monté en suiveur pour pallier l'absence d'étage tampon interne et permettre unemesure haute impédance de la tension aux bornes du condensateur. Plage de fonctionnement des cellules mémoires.Les niveaux de commandes des transistors composant l'interrupteur ne couvrent pas la pleineéchelle 0-10 V ce qui restreint sa plage de conduction. De plus la tension de claquagedrain/source d'un transistor bloqué de taille minimale est de 8 V pour un PMOS et 9 V pour121