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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre III : circuits intégrés réalisés.risques <strong>de</strong> claquage dus à la tension d'alimentation <strong>de</strong> 10 V qui est supérieure auxspécifications du fon<strong>de</strong>ur.Arrangement en ligne <strong>de</strong>s 12 cellules <strong>de</strong> mémorisation. C<strong>et</strong>te organisation simplifie ladistribution <strong>de</strong>s différents signaux.Le schéma <strong>de</strong> la figure ci-<strong>de</strong>ssous présente le circuit électrique d'une cellule mémoirecomplète.10 V10 Vcomman<strong>de</strong> numérique0/5 VconsigneVmémC = 1pFFigure 3-14 : schéma électrique d'une cellule mémoire complète.4.2.2. Partie logique.res<strong>et</strong>clkstart1start2SEQUENCEURcptfullcarryhzcckencpten<strong>de</strong>cenrazcptnextcckencpttestraztestCOMPTEURclk4 BITScpten ad[0:3]razcptcptfullDECODEUR 4/16ad[0:3]<strong>de</strong>censwitch[0:15]<strong>de</strong>ctestFigure 3-15 : schéma <strong>de</strong> principe <strong>de</strong> la partie logique du circuit "annie".La partie logique est composée d'un séquenceur <strong>et</strong> d'un compteur suivi d'un déco<strong>de</strong>ur dont lessorties contrôlent les interrupteurs décrits au paragraphe précé<strong>de</strong>nt. Ce décodage estsynchronisé avec un compteur externe qui présente les adresses à la SRAM, c<strong>et</strong>te solution117

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