Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre III : circuits intégrés réalisés.capacité parasite de l'ordre de 40 fF (équation 3.11), le potentiel de grille flottante vautQCftot 1,36 V . En utilisant cette valeur, nous pouvons calculer les tensions deprogrammation des différentes cellules (équations 3.12 et 3.13) :M1M09,47/-14,08 8,95/-13,48M5M48,60/-13,07 9,47/-14,08Tableau 3-6 : tensions théoriques (en V) aux bornes des injecteurs tunnel des quatremémoires à étage suiveur. La valeur positive correspond à l'injection de charge et la valeurQfnégative au retrait. Vhigh = 13 V, Vmedium = 5 V, Cp = 40 pF et 1,36VCtotLes tensions sont beaucoup trop dispersées et dissymétriques pour pouvoir comparer lesefficacités d'injection des différentes cellules.3.3.2. Comparaison détaillée de l'efficacité d'injection.Nous avons donc réalisé des mesures pour chaque mémoire en utilisant des valeurs de V highdans le rapport théorique des différents condensateurs tunnel pour obtenir une tension deprogrammation unique de 9,8 V tant pour l'injection que pour le retrait de charge :A)53005290528052705260525052405230522052105200Vmux (mV)M5M0M4M1t (s)0 20 40 60 80 100B)Vmux (mV)530052905280M452705260M152505240M052305220 M55210t (s)52000 20 40 60 80 100Figure 3-12 : 100 s d'injection pour une tension de programmation tunnel théorique de 9,8 VA) injection de charges, B) retrait de charges.C'est la structure de la mémoire n° 5 qui se montre la plus efficace. Cette améliorationprovient sans doute de la diminution d'épaisseur d'oxyde qui apparaît au niveau de l'encochefaite dans le niveau polysilicium 1.113