Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre III : circuits intégrés réalisés.Le potentiel de la grille flottante V f est donné par la relation suivante :VQCCftunnelbootf VL VC(3.11)CtotCtotCtotavec : - Q f charge stockée sur la grille flottante,- V L potentiel appliqué à la ligne,- V C potentiel appliqué à la colonne,- C tot capacité totale de la grille flottante, c'est-à-dire C tot = C boot +C tunnel +C p , C preprésentant la capacité parasite sur la grille flottante.Parmi les 9 polarisations différentes qu'autorise ce schéma, 3 sont des configurations utiles, 4des états parasites qui surviennent lors de la programmation et les 2 dernières ne sont pasautorisées par la logique de commande :VL0 V medium V high0 impossible parasite écriture, injection d'e -V medium parasite lecture parasiteV high écriture, retrait d'e - parasite impossibleTableau 3-4 : états d'un point mémoire en fonction des tensions appliquées sur sescondensateurs C tunnel et C boot .VcLecture : c'est l'état normal, la tension V medium est appliquée aux deux condensateurs et estdonc couplée sur la grille flottante. C'est ce mécanisme qui permet d'obtenir le décalagenécessaire au centrage de la plage des paramètres.Ecriture : la pleine échelle de programmation est appliquée aux deux condensateurs avecdeux polarités possibles permettant ainsi d'inverser le sens du courant tunnel.En utilisant l'équation 3.11, nous obtenons la tension aux bornes de l'injecteur tunnel pources deux cas :injectionVQCfboottunnel Vhigh(3.12)CtotCtotretraitVtunnelQCQ Cftunnelfboot p Vhigh Vhigh Vhigh(3.13)CtotCtotCtotCtotCEtats parasites : quand la pleine échelle de programmation est appliquée à une cellule de lamatrice, les autres cellules se trouvant sur les mêmes ligne et colonne ne sont plus107