Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Référence. Application. Méthoded'injection decharge.[CARLEY 89][HOLLER 89][LAZZARO 94][HASLER 95],[DIORIO 96][HASLER 96][KRUGER 96][SARPESHKAR96][MONTALVO97]Compensationd'offset d'un AOPCMOS.poids synaptiquede neuronesformelsparamètres d'undispositifd'analyse spectralanalogique desonspoids synaptiquede neuronesformelsSuppression decomposantecontinue d'unampli PMOS'Winner Take All'calibration defiltres analogiquesutilisés pour unecochlée artificiellepoids synaptiquede neuronesformels avecapprentissageintégréFNT oxyde degrille 40 nm,10/15 V.Implantation N+pour renforcer lechamp électrique.Méthode de retraitde charge.FNT oxyde ultra-fin. 12/20 VTechnologieutilisée.- CMOS 2 mpwell, 2 polyspécifiqueEEPROM (**)Commutation dela tension deprogrammation.Organisation.Dispositif deprogrammationintégré.externe, bipolaire 1 cellule séquenceur intégréà deux phases,lecture/écritureinutilesFNT interpolysilicium 20/25 V CMOS 2 poly Etage hautetension interne àtransistors LDD.NMOS EC.Implantation P+pour élever latension de seuil duNMOSPMOS ECNMOS EC.Implantation P+pour élever latension de seuil duNMOS.FNT oxyde degrille 35 nm 45 V.Implantation N+pour renforcer lechamp électriqueFNTinterpolysilicium440 nm, 33/40 VFNTinterpolysilicium40 VOrbitSemiconductorBiCMOS 2 mnwellCMOS 2 mnwellBiCMOS 2 mnwellNMOS EC. ? OrbitsemiconductorCMOS 2 mnwell 2 polymatrice distribuée,total de 10240mémoiresvecteur 1 x 30séquence à deuxphaseslecture/écritureexterneséquence à deuxphaseslecture/écritureexternePrécision etrétention.vieillissementaccéléré, modèlethermoactivé :0,1 %/10 ans à100 °Cvieillissementaccéléré, modèlethermoactivéexterne matrice 2 x 2 non évaluation deseffets depiégeages dansl'oxydeexterne 1 cellule rétroactionanalogiquecontinueexternedistribué, 1 cellulepar filtreFNT pourinitialisation,rétroactionanalogiquependant ECinutile ? matrice distribuée rétroactionanalogiqueEtage de sortie.courant.Polarisation d'unebranche de lapaire à compenserdécalage du seuildu transistorcomposite qui faitpartie intégrantedu circuit- Un suiveurrecopie lepotentiel de lagrille flottantevers le circuit àcontrôlerdécalage du seuildu transistorcomposite qui faitpartie intégrantedu circuit- décalage du seuildu transistorcomposite qui faitpartie intégrantedu circuit- La grille flottanteest directementconnectée àl'entrée MOS ducircuit qu'ellecontrôle- La grille flottanteserait directementconnectée àl'entrée MOS ducircuit qu'ellecontrôle(*) le circuit réalisé utilise uniquement des mémoires à échantillonneur-bloqueur, mais l'auteur propose d'ajouter une mémorisation non volatile à grille flottante à la fin de l'apprentissage.(**) ce circuit utilise une technologie spécifique (oxyde ultra-mince), nous l'avons cependant inclus dans ce tableau car, à notre connaissance, c'est le seul circuit de ce type qui ait été commercialisé.Remarques.l'injection FNTutilise une tensionnégativecircuitcommercialisé parIntell'injection FNT estobtenue parcouplage capacitif--Les auteursannoncent "firstsystem levelapplication of thistechnology"Non réalisé(*),mais l'idée estintéressanteTableau 3-3 : caractéristiques de différentes applications utilisant des mémoires analogiques à grille flottante en technologie CMOS standard. EC =injection par électron chaud, FNT = effet Tunnel Fowler-Nordhein.