Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre III : circuits intégrés réalisésspécifique pour la tension de programmation. De plus l'amélioration du rendement d'injectionnécessite des structures pouvant violer les règles de dessin des fondeurs.3.1.2. Dispositif tunnel.Deux oxydes peuvent servir à la réalisation de l'injecteur tunnel, l'oxyde de grille ou l'oxydeinterpolysilicium si la technologie employée comporte deux niveaux de polysilicium.Plusieurs auteurs considèrent que l'oxyde de grille est de meilleure qualité que l'oxydeinterpolysilicium, notamment en raison du moins grand nombre supposé de sites de piégeage àl'interface silicium/oxyde. Mais c'est aussi, dans la plupart des cas, l'oxyde le plus fin oumême le seul disponible.La technologie BiCMOS que nous utilisons comporte deux niveaux de polysilicium avec uneépaisseur d'oxyde interpolysilicium réduite (T interpolysilicium = 19,5 nm typique) qui estnécessaire à la réalisation de condensateur de capacité importante. L'oxyde de grille estlégèrement plus fin (T ox = 16 nm typique). La qualité de l'interface est très dépendante duprocédé de fabrication et, hormis la tension de claquage, aucun paramètre la concernant n'estfourni par le fondeur. Il ne nous est donc pas possible de faire un choix en utilisant ce critère.Finalement, nous réalisons l'injection au travers de l'oxyde interpolysilicium, l'avantaged'utiliser un vrai condensateur plutôt qu'un condensateur MOS étant décisif. En effetl'injection au travers de l'oxyde de grille suppose qu'une des armatures du condensateur soitréalisée par le substrat en silicium. La variation de l'épaisseur effective d'isolant en fonction dela tension appliquée vient alors perturber l'effet tunnel.Nous avons testé plusieurs structures destinés à réduire la tension de programmationnécessaire. Nous supposons qu'elle restera inférieure aux limites imposées par le procédé etles étages de commutations n'utilisent pas de transistors spéciaux.3.1.3. Méthode de programmation.Afin que le processus tunnel soit bidirectionnel, il est nécessaire d'utiliser une méthodepermettant l'inversion de polarité aux bornes du condensateur d'injection. L'utilisation d'unetension négative est beaucoup trop délicate à mettre en œuvre et nous avons donc utilisé unetechnique plus classique de couplage capacitif (Voir figure 2-23 B).C'est la méthode généralement retenue dès qu'il s'agit de contrôler plus d'un point mémoire.En effet nombre d'auteurs qui ont testé des mémoires à grilles flottantes ont occulté ceproblème101