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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre III : circuits intégrés réalisésen faisant <strong>de</strong>s mesures <strong>de</strong> voltages imposés : pour chaque valeur <strong>de</strong> paramètre nous mesuronsla caractéristique I cond = f(V mem ) dont nous pouvons extraire les différents paramètres. Nousavons évi<strong>de</strong>mment l'avantage <strong>de</strong> pouvoir réellement isoler chaque famille <strong>de</strong> canaux ioniques,chaque conductance. Outre la vérification <strong>de</strong>s fonctionnalités <strong>de</strong> nos circuits, ces mesuresserviront aussi à l'étalonnage <strong>de</strong> nos formules <strong>de</strong> transformation électrique/biologique. Lesmesures sont donc réalisées avec la carte d'application <strong>et</strong> il n'est pas nécessaire <strong>de</strong> construireun système <strong>de</strong> test spécifique. Rappelons qu'elles font l'obj<strong>et</strong> du chapitre IV.3. CIRCUIT "BABAR" : MEMOIRES A GRILLE FLOTTANTE.Figure 3-4 : microphotographie du circuit mixte "babar". Dimensions 1970 X 2040 µm 2 , 28broches, boîtier dil28, BiCMOS AMS 0,8 µm, 945 composants (390 NMOS, 427 PMOS, 12pnp, 70 npn, 33 con<strong>de</strong>nsateurs, 13 résistances).3.1.Bibliographie <strong>et</strong> choix technologiques.Nous avons conçu un circuit utilisant la technique <strong>de</strong> grille flottante pour la mémorisation<strong>analogique</strong>. Comme c<strong>et</strong>te idée a été proposée par différents groupes <strong>de</strong> recherche durant ces<strong>de</strong>rnières années, nous commençons par présenter <strong>de</strong>ux tableaux illustrant leurs travaux. Ilsregroupent <strong>de</strong>s publications significatives traitant <strong>de</strong> la conception <strong>et</strong> <strong>de</strong> l'utilisation <strong>de</strong>mémoires <strong>analogique</strong>s à grille flottante en technologie CMOS standard <strong>et</strong> résument lesprincipales caractéristiques qui nous serviront à faire nos choix <strong>de</strong> conception.3.1.1. Mécanisme d'injection.Nous avons r<strong>et</strong>enu l'injection par courant tunnel pour les opérations d'écriture <strong>et</strong> d'effacement.En eff<strong>et</strong> l'injection par porteurs chauds est unidirectionnelle <strong>et</strong> implique <strong>de</strong>s courantsincompatibles avec un système à pompe <strong>de</strong> charge <strong>et</strong> donc l'utilisation d'un générateur100

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