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duo d'artistes Laurence Drocourt (1963) et Aurélie ... - Art Absolument

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(a)Abbildung 2. (a) Drei verschiedene Designs des GaAs-Absorbers, (b) Aufbaukonzept desRöntgensensors, Zeichnung nicht maßstäblich (1 - Röntgenstrahlung, 2 - Apertur, 3 - keramischerAbsorber, 4 - Trägerkeramik, 5 - GaAs-Absorber, 6 - Bonddrähte, 7 - Auswerteelektronik,8 - Platine, 9 - nachgelagerte Elektronik, 10 - Stecker für Datentransfer, 11 - Stecker fürHochspannungsversorgung)(b)3. AufbaukonzeptRöntgenstrahlen können elektronische Baugruppen in vielerlei Hinsicht schädigen. SowohlHalbleiterstrukturen als auch verwend<strong>et</strong>e Epoxidklebstoffe können durch Röntgenstrahlennegativ beeinflusst werden, wodurch die Lebensdauer elektronischer Baugruppen reduziertwerden kann. Diese Effekte müssen daher durch aktiven Strahlenschutz deutlich reduziertwerden. Besonders die Auswerteschaltkreise, die auch bei Verwendung einesstrahlenharten Designs geschädigt werden können, aber auch andere empfindlicheElektronik müssen vor Röntgenstrahlung geschützt werden. Eine weitere wesentlicheAnforderung an das Aufbaukonzept stellt die lückenlose Reihbarkeit mehrererSensormodule dar. Sensormodule mit einer Länge von 102,4 mm sollen aneinander gereihtwerden, um einen Zeilend<strong>et</strong>ektor mit einem Vielfachen von 102,4 mm Länge zu erhalten.Abbildung 2 (b) zeigt das entwickelte Aufbaukonzept des Röntgend<strong>et</strong>ektors. DerStrahlenschutz empfindlicher Elektronik wird durch zwei Maßnahmen erreicht. Zunächstlässt die verwend<strong>et</strong>e Apertur nur den Einfall der Röntgenstrahlung auf den gewünschtenBereich zu. Weiterhin trägt eine hochabsorbierende Keramik den GaAs-Absorber, wodurchhinter der Keramik im Bereich der Auswerteelektronik ein Strahlenschatten entsteht. Diehochabsorbierende Keramik reduziert die direkte Bestrahlung der Auswerteelektroniksignifikant, da im Wesentlichen nur noch Streustrahlung die Auswerteelektronik erreicht.Für diesen Zweck muss die Trägerkeramik einen sehr hohen Absorptionskoeffizientensowie einen Ausdehnungskoeffizienten zwischen denen von GaAs und FR4 (Basismaterialder Platine) aufweisen. Ein passender Ausdehnungskoeffizient dient der Reduzierung vonmechanischen Verspannungen und Verbiegungen, die durch Hochtemperaturschritte bei derFertigung des Sensormoduls entstehen können. Allerdings ist keine Keramik mitausreichend hohem Absorptionsvermögen sowie geeign<strong>et</strong>em Ausdehnungskoeffizientenverfügbar, wodurch beide Aufgaben durch zwei verschiedene Keramiken übernommenwerden. Die erste Keramik in Strahlrichtung (#3 in Abbildung 2 (b)) absorbiert dieeinfallende Röntgenstrahlung, während die zweite Keramik (#4) den GaAs-Absorber trägt.Neben den Maßnahmen zum Strahlenschutz steht beim Aufbaukonzept dieReihbarkeit mehrerer Sensormodule im Vordergrund. Die Notwendigkeit lückenloserBildaufnahme und die Reihbarkeit beliebig vieler Sensormodule erfordert eine lückenloseund präzise Montage der GaAs-Absorber bis hin zum Rand des Sensormoduls.Entsprechend den sehr kleinen Abmessungen eines GaAs-Absorbers von3,2 x 1 x 0,45 mm³ für einen Absorber mit 32 Pixeln, wird dessen Montage durch ein4

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