EFFET HALL DANS UN SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE E ...

y
E x j
+ -
+ -
x
De même, la conductivité varie avec l'induction magnétique : c'est le phénomène dit de
magnétorésistance.
4-2) Approximation des champs faibles - trajectoires rectilignes
Les expressions ci-dessus sont compliquées en particulier à cause des termes
1 + µi 2 B 2 où µi B = e τ i
=
mi
ωi τi
ωi est la vitesse angulaire qu'aurait le porteur i dans le seul champ B r (trajectoire circulaire). La quantité
1 / τi caractérise la fréquence des collisions subies dans le solide. Si cette fréquence est grande par rapport à
ωi , la courbure de la trajectoire entre deux chocs successifs peut être négligée. Le produit µi B = ωi τi est
alors négligeable devant 1. Un développement donne alors pour σ :
σ = ne µe e + nt µt e - O(B 2)
Le terme du 2ème ordre O(B2) est petit mais positif et a donc pour effet de diminuer la conductivité. Ce
résultat est compatible avec le fait que les trajectoires entre deux chocs ne sont plus linéaires mais incurvées,
donc allongées.
En ce qui concerne R H , on arrive à:
R H =
nt µt 2 - ne µe 2
e (nt µt + ne µe) 2
Semi-conducteurs – effet Hall -4
Plate-forme Matière Condensée et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Université J.Fourier Grenoble