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EFFET HALL DANS UN SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE E ...

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3 - Partie pratique<br />

3-1) Tracer la courbe d'étalonnage de l'électroaimant : champ B dans l'entrefer en fonction de IB,<br />

intensité dans les bobines. L'appareil de mesure du champ est étalonné en Gauss : 1 Gauss vaut 10 -4 Tesla.<br />

Observer le sens des enroulements et la polarité du courant pour déterminer la direction de B r .<br />

3-2) Afin de déterminer la résistivité de l'échantillon utilisé, tracer la caractéristique I(V) de la sonde<br />

pour un courant IS parcourant la sonde variant de 0,5 à 3 mA. En déduire la résistance de la sonde et<br />

l'incertitude sur cette résistance.,<br />

Calculer la résistivité du matériau (silicium) constituant la sonde et son incertitude.<br />

On vérifiera que les contacts sont ohmiques et qu'il n'y a pas de magnétorésistance.<br />

3-3) Réaliser le montage ci-dessous<br />

C<br />

R<br />

A<br />

D<br />

Le curseur A du potentiomètre est réglé<br />

pour obtenir VH = 0 dans un champ nul, et<br />

ceci pour chaque valeur de IS.<br />

B<br />

Tracer VH en fonction de IS pour IB = 2 ampères.<br />

Tracer VH en fonction de B pour IS = 3 mA.<br />

Déduire de ces courbes la constante de Hall RH et son incertitude.<br />

Quel est le signe des porteurs majoritaires ? n ou p ?<br />

3-4) Calculer le nombre de porteurs par unité de volume.<br />

Effectuer, si nécessaire, les changements d'unités permettant de se reporter aux courbes du classeur<br />

donnant la résistivité ρ en fonction du nombre de porteurs. Conclusion ?<br />

3-5) En déduire la mobilité µ des porteurs majoritaires.<br />

4 - Complément sur l'effet Hall<br />

(conduction simultanée électrons/trous)<br />

La théorie classique simplifiée de l'effet Hall considère qu'il n'existe qu'un seul type de porteurs, c'est à<br />

dire que les effets des porteurs minoritaires sur la conduction peuvent être négligés. Lorsque cette hypothèse<br />

simplificatrice n'est pas justifiée, il faut une théorie plus élaborée.<br />

4-1) Cas de deux types de porteurs<br />

Soient qi= ± e, mi, v r ,<br />

i<br />

ni la charge, la masse effective, la vitesse moyenne et le nombre de porteurs i par<br />

unité de volume. Ces particules sont accélérées par le champ électrique extérieur, mais entrent en collision<br />

avec les autres composants du solide. Nous admettrons qu'entre deux chocs elles acquièrent leur vitesse<br />

moyenne en un temps τi supposé être le même pour toutes ( τi est appelé temps de relaxation ).<br />

On a alors:<br />

qi { E r + r v i ∧ r<br />

d'où la densité du courant de porteurs du type i:<br />

B } ≈ mi<br />

r<br />

v i<br />

t<br />

i<br />

Semi-conducteurs – effet Hall -2<br />

Plate-forme Matière Condensée et Cristallographie ( MCC) --- C.E.S.I.R.E. Université J.Fourier Grenoble

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