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Composants: fonctionnement, modèles (Richard Hermel) - IN2P3

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Porteurs de charge dans les semi-conducteurs<br />

Si Si Si<br />

Si Si Si<br />

Si Si Si<br />

Si Si Si<br />

Si Si + Si<br />

Si Si Si<br />

-<br />

Génération d’une paire<br />

électron-trou dans du silicium<br />

pur (intrinsèque) :<br />

Agitation thermique, éclairement,<br />

Passage d’une particule<br />

Création de 2 porteurs libres<br />

Dopage N<br />

Si Si Si<br />

Si P + Si<br />

-<br />

E C<br />

Bande de conduction<br />

E G<br />

E D<br />

Dopage P<br />

Si Si Si<br />

Si B - +<br />

Si<br />

E V<br />

E A<br />

Si Si Si<br />

Bande de valence<br />

Si Si Si<br />

Un atome de la colonne 5 est introduit<br />

dans le cristal. Il perd un électron qui<br />

Devient libre et s’ionise positivement<br />

Donneurs : P, As, Sb<br />

E C<br />

– E D<br />

≈ E A<br />

–E V<br />

≈ 0.045 eV<br />

à 300 K, tous les donneurs et<br />

les accepteurs sont ionisés<br />

Un atome de la colonne 3 est introduit dans le<br />

cristal. Il capture un électron<br />

de valence et s’ionise négativement,<br />

créant un « trou » dans la bande de valence<br />

Accepteurs : B, Ga, In<br />

<strong>Richard</strong> HERMEL LAPP Ecole d'électronique <strong>IN2P3</strong> : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004<br />

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