Composants: fonctionnement, modèles (Richard Hermel) - IN2P3
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Le transistor M.O.S. : courant<br />
N +<br />
V GS<br />
N +<br />
C OX<br />
N B<br />
V DS<br />
µ : mobilité des porteurs<br />
: Capacité d’oxyde par<br />
unité de surface<br />
: Dopage substrat<br />
V SB<br />
Canal<br />
P<br />
Zone désertée<br />
ε Si<br />
q<br />
: permittivité Si<br />
: charge élémentaire<br />
W ⎡<br />
IDS = µ COX ⎢( VGS −VT ) VDS<br />
−<br />
L ⎣<br />
2<br />
DS<br />
V<br />
2<br />
⎤<br />
⎥<br />
⎦<br />
en inversion forte<br />
β = µ C OX<br />
W<br />
L<br />
V<br />
( V + 2Φ<br />
− Φ )<br />
T<br />
= VT 0<br />
+ γ<br />
SB FP<br />
2<br />
FP<br />
γ =<br />
2qε<br />
C<br />
Si<br />
OX<br />
N<br />
B<br />
Coefficient<br />
d’effet de substrat<br />
I<br />
DSAT<br />
( V −V<br />
)<br />
n<br />
= β GS T en saturation utilisation dans la circuiterie analogique<br />
2<br />
1 < n < 2<br />
<strong>Richard</strong> HERMEL LAPP Ecole d'électronique <strong>IN2P3</strong> : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004 23
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