Composants: fonctionnement, modèles (Richard Hermel) - IN2P3
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Tension de seuil (canal N)<br />
grille SiO 2 Si P<br />
trous<br />
Accumulation<br />
V G < 0<br />
Répartition des charges dans<br />
une structure MOS<br />
charges positives<br />
charges négatives<br />
Charges fixes<br />
X D<br />
V<br />
T 0<br />
= VFB<br />
+ 2Φ<br />
FP<br />
+ γ 2<br />
Φ<br />
FP<br />
Désertion<br />
0 V T<br />
γ =<br />
2qε<br />
C<br />
Si<br />
OX<br />
N<br />
B<br />
Coefficient<br />
d’effet de substrat<br />
<strong>Richard</strong> HERMEL LAPP Ecole d'électronique <strong>IN2P3</strong> : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004<br />
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