Composants: fonctionnement, modèles (Richard Hermel) - IN2P3
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Le transistor M.O.S. : <strong>fonctionnement</strong><br />
Source<br />
Grille<br />
Si-poly<br />
N + WSiO 2<br />
N +<br />
L<br />
Oxyde de grille<br />
Substrat P<br />
Drain<br />
• W, L : largeur et longueur du canal<br />
• Création du canal :<br />
injection d’électrons sous la grille par la<br />
mise en direct localement de la jonction<br />
source-substrat, contrôle de la quantité<br />
de porteurs par le champ électrique<br />
vertical créé par la tension V GS<br />
V SB<br />
N + V GS<br />
V DS<br />
Canal<br />
Saturation<br />
N +<br />
P<br />
Zone désertée<br />
• Mise en mouvement des porteurs :<br />
par le champ électrique longitudinal créé<br />
par la tension V DS<br />
• V T<br />
: Tension de seuil<br />
limite de l ’inversion :<br />
concentration des porteurs libres<br />
dans le canal = concentration de<br />
dopant du substrat<br />
<strong>Richard</strong> HERMEL LAPP Ecole d'électronique <strong>IN2P3</strong> : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004<br />
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