Composants: fonctionnement, modèles (Richard Hermel) - IN2P3
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La jonction PN en régime dynamique<br />
Pente r en (I<br />
I<br />
0<br />
,V 0<br />
)<br />
I 0<br />
direct<br />
inverse<br />
I S V 0 Vext PN<br />
N<br />
P<br />
I<br />
Vext PN<br />
V<br />
≡<br />
0,<br />
I 0<br />
r<br />
C<br />
La résistance dynamique r est la pente de la caractéristique au point de <strong>fonctionnement</strong> : r = U T<br />
/ I 0<br />
La capacité C rend compte des variations de charges stockées en fonction de la polarisation :<br />
En inverse, la jonction est équivalente à un condensateur plan, la capacité correspond à la variation du<br />
nombre de charges fixes dans la zone de charge d’espace lorsque ses dimensions changent, c’est la<br />
capacité de transition : ε ε SI<br />
: permittivité du silicium : ε rSi<br />
= 11.7<br />
SI<br />
C = A W<br />
T<br />
W : largeur de la Zone de charge d’espace<br />
En direct, de nombreux porteurs de charges se trouvent en excès dans les zones « neutres », leur<br />
quantité varie avec la polarisation, c’est la capacité de diffusion qui s’ajoute à la capacité de transition<br />
C D<br />
est proportionnelle au courant direct :<br />
C<br />
D<br />
⎛Vext<br />
⎞<br />
PN<br />
∝ AIS<br />
exp⎜ ⎟<br />
⎝ UT<br />
⎠<br />
<strong>Richard</strong> HERMEL LAPP Ecole d'électronique <strong>IN2P3</strong> : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004<br />
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