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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

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Chapitre IV Modélisation de la décharge électrostatique dans un film de polyimide<br />

IV.2. MODÈLE THÈORIQUE UTILISÈ<br />

Considérons un film de polyimide PI de permittivité relative εr =3.4 dans une configuration<br />

de circuit ouvert, avec une face considérée libre pour déposer les charges et l’autre en contact<br />

avec une plaque métallique reliée à la masse (Figure IV.1). Une densité de charge surfacique<br />

σ 0 (C.m -2 ) déposée sur la surface libre par une décharge couronne négative. Une fraction<br />

α0 (proportion de charge injecte) de σ0 est immédiatement injectée dans le volume et dérive par<br />

le champ local vers la face arrière (la masse). La fraction restante (1-α0) sera donc considérée<br />

durablement piégée.<br />

d<br />

Plateau (la masse)<br />

Le modèle mathématique utilisé repose sur des hypothèses utilisées dans la plupart des<br />

travaux publiés dans la littérature [04,05]. On considère que la décroissance du potentiel n’est<br />

due qu’à des propriétés de volume : polarisation, conduction et piégeage dans le volume de<br />

l’isolant.<br />

Si on suppose maintenant que la conduction dans le matériau est unipolaire (assurée par un<br />

seul type de porteurs de charge q), de mobilité µ et se fait selon la direction (x) (celle de<br />

l'épaisseur du film), alors le mouvement des porteurs de charges injectées dans le volume est<br />

gouverné par les équations reportées ci-dessous:<br />

Dans le cas d'une configuration ouverte, la densité du courant totale mesurée par le circuit<br />

extérieur est donnée par l'expression :<br />

σ(t)<br />

ρ(x,t)<br />

V(t)<br />

x = 0<br />

x<br />

x = L<br />

Figure IV.1 : Schéma de l’échantillon reposant sur un plateau relié à la<br />

masse avec une densité surfacique σ(t) et une densité volumique ρ(x,t)<br />

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