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Texte intégral en version PDF - Epublications - Université de Limoges

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Annexes 295<br />

Annexe 1 : La conductivité ionique dans les soli<strong>de</strong>s<br />

La conductivité ionique :<br />

La conduction ionique et la conductivité électrique sont <strong>de</strong>s phénomènes <strong>de</strong> transport.<br />

Des ions ou <strong>de</strong>s électrons sont <strong>en</strong> mouvem<strong>en</strong>t sous l’action d’une ou plusieurs forces.<br />

La conductivité électrique ou ionique est déterminée par la conjugaison du nombre <strong>de</strong><br />

porteurs <strong>de</strong> charge et leur mobilité à conc<strong>en</strong>tration <strong>de</strong> porteurs égale. C’est la mobilité qui<br />

détermine le type <strong>de</strong> conductivité. En général, dans les oxy<strong>de</strong>s, la mobilité <strong>de</strong>s défauts<br />

électroniques est 10 2 -10 3 fois plus gran<strong>de</strong> que celle <strong>de</strong>s défauts ioniques. Une bonne<br />

conduction ionique sera donc favorisée par l’augm<strong>en</strong>tation <strong>de</strong> la mobilité <strong>de</strong>s ions ou la<br />

diminution <strong>de</strong> celle <strong>de</strong>s électrons. L’Equation A 1 est l’expression <strong>de</strong> la conductivité totale<br />

fonction <strong>de</strong> la mobilité et du nombre <strong>de</strong>s porteurs <strong>de</strong> charge.<br />

Equation A 1 : conductivité électrique <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong> la mobilité et du nombre <strong>de</strong> porteurs <strong>de</strong><br />

charge.<br />

σ ∑ = ∑C<br />

µ j<br />

tot = σ j jZ<br />

je<br />

j j<br />

avec σj conductivité électrique partielle <strong>de</strong> chaque porteur <strong>de</strong> charge(S/m), Cj d<strong>en</strong>sité<br />

<strong>de</strong> porteurs <strong>de</strong> type j (m -3 ), Zj nombre <strong>de</strong> charge électronique e ( C ) et µj mobilité <strong>de</strong>s porteurs<br />

<strong>de</strong> charges dans le soli<strong>de</strong> (m 2 s -1 V -1 )<br />

Mécanismes <strong>de</strong> transport <strong>de</strong>s ions :<br />

Le transport <strong>de</strong>s ions est assuré par la prés<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> défauts dans le cristal. Les défauts<br />

cristallins sont principalem<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s ruptures locales <strong>de</strong> la périodicité du cristal. Les plus<br />

inévitables <strong>de</strong>s défauts sont les surfaces libres. Les surfaces libres peuv<strong>en</strong>t être représ<strong>en</strong>tées<br />

par <strong>de</strong>s marches atomiques et se cré<strong>en</strong>t soit lors <strong>de</strong> la cristallisation, soit par fracture ou<br />

clivage. Elles emprunt<strong>en</strong>t un nombre fini <strong>de</strong> familles <strong>de</strong> plans cristallins. L’autre type <strong>de</strong><br />

défaut qui existe est le défaut ponctuel qui est une perturbation <strong>de</strong> la périodicité cristalline<br />

dans le volume. Quatre types <strong>de</strong> défauts ponctuels peuv<strong>en</strong>t être distingués :

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