Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE
I.5. - CONCLUSION
Ce premier chapitre présente les outils mis à la disposition des ingénieurs de
conception pour réaliser des fonctions électroniques non linéaires. Des simulations précises ne
peuvent être envisagées qu’avec l’aide de modèles, de caractérisations et de méthodes
d’analyses adaptées.
Les bancs actuels de caractérisation permettent de faire des modélisations fines du
transistor. Grâce aux mesures hyperfréquence en impulsions, des modèles incluant les effets
dispersifs tel que les effets de pièges et les effets thermiques ont été développés. Une étude
basée sur ce type de modèle nous a permis de mettre en évidence l’influence non négligeable
de ces différents effets sur la linéarité à travers le rapport C/I 3.
La validité des modèles non linéaires ne peut être envisagée qu’à l’aide de mesures
complémentaires. Ces mesures sont généralement effectuées à une et deux porteuses sur des
bancs de mesures load-pull multiharmonique.
Toutefois, les systèmes de caractérisation fonctionnelle non-linéaire en
fonctionnement à une et deux porteuses ne sont pas suffisant pour caractériser
convenablement la linéarité d’un amplificateur excité par des signaux modulés.
Le développement de banc de caractérisation multiporteuse offre donc de nouvelles
perspectives. Au cours de ce chapitre nous avons déjà pu valider l’approche que nous avons
utilisée en simulation.
Pour la simulation de circuit fonctionnant en régime multiporteuse, une nouvelle
technique s’impose. Cette technique, le transitoire d’enveloppe, permet la simulation de
signaux modulés avec un temps et coût de calcul raisonnable. Grâce à elle, nous avons pu
nous intéresser à l’analyse en NPR de transistor.
Ces développements font l’objet des chapitres suivants.
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