Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

III.3. - METHODOLOGIE ACTUELLE DE CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
MULTIPORTEUSE ..................................................................................................... 94
III.3.1. - Cas de figure 1 :....................................................................................... 94
III.3.1.1. - Détermination de l’impédance de charge optimale......................... 94
III.3.1.2. - Détermination de l’impédance de source optimale......................... 97
III.3.2. - Cas de figure 2 :....................................................................................... 99
III.3.2.1. - Détermination de l’impédance de charge optimale......................... 99
III.3.2.2. - Détermination de l’impédance de source optimale....................... 101
III.4. - NOUVELLE APPROCHE DE CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
MULTIPORTEUSE ................................................................................................... 102
III.4.1. - Definition du critère optimum d’évaluation de compromis
linéarité/consommation ................................................................................................... 102
III.4.1.1. - Caractéristique de bruit d’un amplificateur................................... 102
III.4.1.2. - Lieu des optima............................................................................. 103
III.4.1.3. - Algorithme de construction du lieu des optima ............................ 107
III.4.2. - Utilisation du critère.............................................................................. 111
III.4.2.1. - Choix d’une cellule élémentaire.................................................... 111
III.4.2.2. - Choix d’un point de fonctionnement............................................. 112
III.4.3. - Conditions optimales de fonctionnement d’un transistor...................... 114
III.4.3.1. - Impédances optimales ................................................................... 115
III.4.3.1.1. - Impédances de charge ............................................................ 115
III.4.3.1.2. - Impédances de source ............................................................ 117
III.4.4. - Points de polarisation ............................................................................ 120
III.5. - METHODOLOGIE DE CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR ........................... 121
III.6. - CONCLUSION ....................................................................................................... 124
CHAPITRE IV 131
IV.1. - INTRODUCTION................................................................................................... 132
IV.2. - CONCEPTION DE L’AMPLIFICATEUR BANDE S........................................... 133
IV.2.1. - Modélisation du transistor HFET.......................................................... 133
IV.2.2. - Validation du modèle ............................................................................ 134
IV.2.3. - Conception de l’amplificateur............................................................... 136
IV.2.3.1. - Analyse de la stabilité linéaire du transistor ................................. 136
IV.2.3.2. - Optimisation du transistor............................................................. 139
IV.2.3.3. - Synthèse des circuits d’adaptation................................................ 143