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Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

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CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE<br />

Pour utiliser aux mieux les métho<strong>de</strong>s précéd<strong>en</strong>tes, <strong>la</strong> dynamique BF est traitée par<br />

intégration temporelle tandis que <strong>la</strong> dynamique HF est traitée par équilibrage harmonique, <strong>à</strong><br />

chaque pas <strong>de</strong> temps. Le coût <strong>de</strong> calcul est ainsi proportionnel au cube du nombre<br />

d’harmoniques <strong>de</strong> <strong>la</strong> porteuse uniquem<strong>en</strong>t, ce qui autorise <strong>la</strong> simu<strong>la</strong>tion <strong>de</strong> circuit non<br />

analysable par équilibrage harmonique pur.<br />

C<strong>et</strong>te métho<strong>de</strong> repose sur l’hypothèse que <strong>la</strong> réponse <strong>en</strong> fréqu<strong>en</strong>ce autour du<br />

fondam<strong>en</strong>tal varie peu (approximation ban<strong>de</strong> étroite). Toutefois, il est possible d’ét<strong>en</strong>dre c<strong>et</strong>te<br />

métho<strong>de</strong> <strong>en</strong> faisant un développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s matrices A <strong>et</strong> B <strong>à</strong> un ordre supérieur.<br />

Le comportem<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s <strong>en</strong>veloppes autour <strong>de</strong> chaque harmonique étant pris <strong>en</strong> compte<br />

c<strong>et</strong>te métho<strong>de</strong> est particulièrem<strong>en</strong>t adaptée <strong>à</strong> <strong>la</strong> simu<strong>la</strong>tion <strong>de</strong> systèmes <strong>à</strong> mémoire nonséparable<br />

excités par <strong>de</strong>s modu<strong>la</strong>tions multiporteuses dans le domaine <strong>de</strong>s fréqu<strong>en</strong>ces microon<strong>de</strong>s.<br />

Avantages :<br />

Simu<strong>la</strong>tion <strong>de</strong> système excité<br />

par <strong>de</strong>s porteuses modulées<br />

Faible occupation mémoire<br />

Simu<strong>la</strong>tion rapi<strong>de</strong><br />

Intègration <strong>de</strong>s eff<strong>et</strong>s <strong>de</strong><br />

mémoire<br />

38<br />

Limitations :<br />

Modu<strong>la</strong>tion ban<strong>de</strong> étroite<br />

Nombre restreint <strong>de</strong> transistor

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