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CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE I.2.2.3. - Influence des différents modèles Cette topologie a été utilisée pour extraire un modèle [3] prenant en compte et les effets thermiques et de pièges d’un transistor de la fonderie Thomson : HP07 400 μm. Nous avons effectué des simulations sur ce modèle afin de définir les différentes contributions apportées par ce modèle. Il est difficile de définir un point commun entre ce modèle et un modèle conventionnel ne prenant pas en compte les pièges et la thermique car pour l’extraction du second aucun des deux paramètres n’est contrôlé. Une comparaison à état thermique fixe où à pièges fixes n’a pas de signification particulière. Nous pouvons toutefois regarder le comportement en C/I3 du transistor lorsque nous éteignons à tour de rôle le modèle thermique et le modèle de pièges. Nous pouvons enlever le modèle de pièges en prenant α 0 et le modèle thermique en fixant la température à la température ambiante. Nous pouvons voir sur la Figure I.8 que le modèle thermique à peu d’influence sur le comportement du transistor en C/I. Par contre sans modèle de piège la réponse est très différente de celle du modèle complet. 45 40 35 30 25 20 15 C/I3 (dB) B = modèle complet modèle sans thermique modèle sans piège -10 -5 0 5 10 15 20 25 Pe (dBm) Figure I.8 – Influence des modèles de pièges et thermiques Pour voir l’apport de la partie dynamique basse fréquence du modèle, nous avons effectué une simulation d’intermodulation avec un signal constitué de 2 porteuses. Pour un écart de fréquence faible entre les deux porteuses (1 Hz), le fonctionnement du transistor est quasi-statique. Au contraire, pour un écart de fréquence élevé (1 MHz) la réponse diffère de celle obtenue pour un fonctionnement quasi-statique. 15
CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE Afin de s’assurer que la partie dynamique de la réponse ne provient que des modèles dynamiques BF du transistor, nous avons modélisé les tés de polarisation à l’aide de fichier de paramètre S idéaux sans effets de mémoire BF. Notamment les impédances vues par le transistor aux fréquences (1 Hz, 100 KHz, 1 MHz) sont les mêmes. Nous pouvons voir Figure I.9 que le rapport C/I3 dépend effectivement des constantes de temps BF du transistor (capture + émission). L’écart entre les deux courbes dépend du niveau d’excitation. Elle atteint près de 2 dB pour certain niveau de puissance. Pour atteindre une précision élevée la partie dynamique basse fréquence des modèles n’est donc pas à négliger. 45 40 35 30 25 20 C/I3 (dB) 15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 Pe (dBm) 1 Hz 100 KHz 1MHz Figure I.9 – Influence de la partie dynamique basse fréquence du modèle 16
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Résumé Les signaux traités par l
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