Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE
I.2.2.3. - Influence des différents modèles
Cette topologie a été utilisée pour extraire un modèle [3] prenant en compte et les
effets thermiques et de pièges d’un transistor de la fonderie Thomson : HP07 400 μm. Nous
avons effectué des simulations sur ce modèle afin de définir les différentes contributions
apportées par ce modèle.
Il est difficile de définir un point commun entre ce modèle et un modèle conventionnel
ne prenant pas en compte les pièges et la thermique car pour l’extraction du second aucun des
deux paramètres n’est contrôlé. Une comparaison à état thermique fixe où à pièges fixes n’a
pas de signification particulière. Nous pouvons toutefois regarder le comportement en C/I3 du
transistor lorsque nous éteignons à tour de rôle le modèle thermique et le modèle de pièges.
Nous pouvons enlever le modèle de pièges en prenant α 0 et le modèle thermique en
fixant la température à la température ambiante. Nous pouvons voir sur la Figure I.8 que le
modèle thermique à peu d’influence sur le comportement du transistor en C/I. Par contre sans
modèle de piège la réponse est très différente de celle du modèle complet.
45
40
35
30
25
20
15
C/I3 (dB)
B =
modèle complet
modèle sans thermique
modèle sans piège
-10 -5 0 5 10 15 20 25
Pe (dBm)
Figure I.8 – Influence des modèles de pièges et thermiques
Pour voir l’apport de la partie dynamique basse fréquence du modèle, nous avons
effectué une simulation d’intermodulation avec un signal constitué de 2 porteuses. Pour un
écart de fréquence faible entre les deux porteuses (1 Hz), le fonctionnement du transistor est
quasi-statique. Au contraire, pour un écart de fréquence élevé (1 MHz) la réponse diffère de
celle obtenue pour un fonctionnement quasi-statique.
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