Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE
Le processus de capture dépendant de la concentration des électrons libres, la
constante de temps de capture suit une loi exponentielle modélisée naturellement à l’aide de la
résistance dynamique de la diode.
Enfin, l’impédance présentée par le circuit doit être suffisamment grande pour ne pas
perturber le comportement du transistor.
La commande de rétroaction Vb est appliquée, à un facteur constant près αB à la
commande Vgs :
V = V − α
gs _ tajima
gs
B
V
B
Pour la modélisation il est préférable, dans la mesure du possible, de séparer les
différents effets dès la caractérisation du transistor afin de limiter le nombre de paramètres à
optimiser pour l’extraction du modèle. Il est possible de séparer les effets thermiques et les
effets de pièges grâce à l’utilisation combinée du banc de mesure en impulsion, d’une
enceinte thermique et des hypothèses basées sur le comportement physique des pièges [5].
Ces hypothèses sont au nombre de deux :
Tous les pièges sont remplis à Vds fort
Constante de temps d’émission supérieure à la durée des impulsions.
Dans le cadre de ces hypothèses, la caractérisation en impulsion d’un transistor pour
un point de polarisation de repos situé à Vds fort peut être réalisée en maintenant l’état des
pièges constant. Tout au long de la caractérisation, tous les pièges restent remplis puisque leur
état n’a pas le temps d’évoluer durant l’impulsion.
La température ne pouvant plus être fixée par le point de polarisation, il est nécessaire
d’utiliser une enceinte thermique qui permettra de faire des mesures à différents états
thermiques. Le modèle thermique établi, il suffira d’ajuster le modèle de pièges.
14