Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

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CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE Figure I.4 – Caractéristiques statiques (mesure en continu et en impulsion) Figure I.5 – Caractéristiques statiques à état thermique fixe (en impulsion) 11
CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE I.2.2.2. - Modélisation et extraction des modèles à effets thermiques et de pièges La topologie du modèle électrique que nous présentons dans cette section a été développée pour la modélisation de MESFET présentant des pièges à niveaux profonds localisés dans le substrat semi-isolant AsGa. L’influence de ces pièges se traduit par la formation d’un potentiel de rétroaction au niveau de la grille appelé self-backating qui dépend des conditions d’excitation. Source Grille Drain N+ n=ND-NB- Canal N+ Substrat SI AsGa Figure I.6 – Structure d’un MESFET Dans le cadre de modulation complexe, les fréquences mises en jeu dans le comportement non linéaire d’un transistor s’étendent sur une bande autour de chaque harmonique de la fréquence porteuse mais également autour du continu. La largeur de cette bande dépend directement la bande de fréquence du signal d’excitation. Le modèle d’un transistor doit donc être capable de reproduire le comportement du composant à toutes ces fréquences. Pour un transistor seul, la réponse en fréquence autour du continu est principalement imposée par les constantes de temps thermiques et de pièges. Il est donc nécessaire d’utiliser des modèles dynamiques de ces effets. Le modèle thermique d’un transistor (Figure I.7) est un circuit électrique qui relie la température du transistor à la puissance dissipée du circuit. Il est représenté au premier ordre par une cellule RC qui permet de prendre en compte la résistance thermique équivalente du circuit Rth ainsi que la constante de temps thermique du circuit à travers la capacité Cth. La température du transistor ainsi calculée est alors directement utilisée pour les modèles thermiques des diodes et de la source de courant. 12 ND NEL2+ NB-
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