Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE<br />
I.2.2. - MODELE TENANT COMPTE DES EFFETS DE PIEGES ET<br />
THERMIQUES<br />
Les <strong>conception</strong>s actuelles intègr<strong>en</strong>t <strong>de</strong> plus <strong>en</strong> plus <strong>de</strong>s critères d’optimisation qui<br />
utilis<strong>en</strong>t aujourd’hui <strong>de</strong>s signaux modulés. Ces simu<strong>la</strong>tions nécessit<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s modèles non<br />
linéaires précis incluant les différ<strong>en</strong>ts eff<strong>et</strong>s dispersifs existant au sein du composant. Ces<br />
eff<strong>et</strong>s sont principalem<strong>en</strong>t les eff<strong>et</strong>s thermiques <strong>et</strong> les eff<strong>et</strong>s <strong>de</strong> pièges. Grâce au<br />
développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s bancs <strong>de</strong> caractérisation <strong>en</strong> impulsions il est possible <strong>de</strong> m<strong>et</strong>tre <strong>en</strong><br />
évid<strong>en</strong>ce <strong>et</strong> même <strong>de</strong> séparer dans certaines conditions ces eff<strong>et</strong>s.<br />
L’un <strong>de</strong>s <strong>en</strong>jeux actuels est d’intégrer ces eff<strong>et</strong>s dispersifs aux modèles non-linéaires<br />
<strong>de</strong>s transistors [5].<br />
I.2.2.1. - Mise <strong>en</strong> évid<strong>en</strong>ce <strong>de</strong>s eff<strong>et</strong>s thermiques <strong>et</strong> <strong>de</strong> pièges<br />
L’influ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong>s eff<strong>et</strong>s dispersifs s’observe sur les caractéristiques statiques du<br />
transistor. Ces caractéristiques représ<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t l’eff<strong>et</strong> fondam<strong>en</strong>tal du transistor. Comme les<br />
eff<strong>et</strong>s dispersifs considérés dép<strong>en</strong>d<strong>en</strong>t tous <strong>de</strong>ux <strong>de</strong>s t<strong>en</strong>sions appliquées aux bornes du<br />
transistor, il est nécessaire d’effectuer <strong>de</strong>s caractérisations appropriées pour s’affranchir dans<br />
<strong>la</strong> mesure du possible <strong>de</strong> l’un <strong>de</strong>s <strong>de</strong>ux eff<strong>et</strong>s.<br />
Pour m<strong>et</strong>tre <strong>en</strong> évid<strong>en</strong>ce les eff<strong>et</strong>s thermiques dans les transistors, il suffit <strong>de</strong> mesurer<br />
les caractéristiques statiques du transistor <strong>en</strong> continu. L’écart <strong>en</strong>tre les caractéristiques<br />
mesurées <strong>en</strong> impulsion <strong>et</strong> <strong>en</strong> continu (Figure I.4) ne provi<strong>en</strong>t pas seulem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> <strong>la</strong> température<br />
puisque les conditions <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation change <strong>et</strong> par conséqu<strong>en</strong>t l’état <strong>de</strong>s pièges. Toutefois <strong>la</strong><br />
décroissance <strong>de</strong>s caractéristiques <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong> Vds témoigne d’un phénomène d’auto<br />
échauffem<strong>en</strong>t.<br />
Sur <strong>la</strong> Figure I.5, nous avons représ<strong>en</strong>té les caractéristiques statiques mesurées <strong>en</strong><br />
impulsion autour <strong>de</strong> trois points <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation. Ces points <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation ont été choisis <strong>de</strong><br />
manière <strong>à</strong> maint<strong>en</strong>ir pour ces trois caractérisations un état thermique id<strong>en</strong>tque. L’écart <strong>en</strong>tre<br />
les trois caractéristiques est donc directem<strong>en</strong>t imputable aux eff<strong>et</strong>s <strong>de</strong> pièges.<br />
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