Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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CONCLUSION GENERALE<br />
Une étu<strong>de</strong> exhaustive <strong>à</strong> partir <strong>de</strong> l’abaque C/(N+I), sur plusieurs transistors nous a<br />
permis <strong>de</strong> dégager les conditions <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation <strong>de</strong> charges <strong>optimale</strong>s d’un transistor<br />
fonctionnant <strong>en</strong> multiporteuse, <strong>à</strong> savoir :<br />
C<strong>la</strong>sse <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t : C<strong>la</strong>sse B<br />
Impédances <strong>de</strong> charge <strong>à</strong> f0 <strong>et</strong> 2f0 : impédances <strong>de</strong> r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t<br />
maximum déterminé <strong>en</strong> monoporteuse<br />
Impédance <strong>de</strong> source <strong>à</strong> 2f0 : déterminée <strong>en</strong> appliquant le critère au<br />
rapport C/I <strong>à</strong> <strong>la</strong> p<strong>la</strong>ce du NPR.<br />
3<br />
La <strong>de</strong>rnière partie <strong>de</strong> c<strong>et</strong>te thèse a été consacrée <strong>à</strong> <strong>la</strong> validation <strong>de</strong> c<strong>et</strong>te nouvelle<br />
méthodologie <strong>de</strong> <strong>conception</strong>. Deux amplificateurs <strong>de</strong> puissance ont été réalisés <strong>en</strong> technologie<br />
hybri<strong>de</strong>. Ces amplificateurs ont été optimisés <strong>en</strong> <strong>linéarité</strong> <strong>et</strong> consommation <strong>à</strong> partir <strong>de</strong><br />
l’abaque C/(N+I).<br />
Le premier amplificateur a été conçu autour d’un transistor HFET 1200 μm, <strong>de</strong> <strong>la</strong><br />
fon<strong>de</strong>rie Texas Instrum<strong>en</strong>t, dans <strong>la</strong> ban<strong>de</strong> <strong>de</strong> fréqu<strong>en</strong>ce [2.17 GHz-2.19 GHz]. Il a fait l’obj<strong>et</strong><br />
d’une caractérisation sur le banc <strong>de</strong> mesure <strong>en</strong> NPR.<br />
Ces mesures nous ont permis <strong>de</strong> vali<strong>de</strong>r <strong>en</strong> gran<strong>de</strong> partie les résultats obt<strong>en</strong>us <strong>en</strong><br />
simu<strong>la</strong>tion <strong>et</strong> nous avons ainsi obt<strong>en</strong>u un amplificateur possédant un fort pot<strong>en</strong>tiel <strong>en</strong> <strong>terme</strong> <strong>de</strong><br />
<strong>linéarité</strong> <strong>et</strong> consommation, bi<strong>en</strong> meilleurs que celui obt<strong>en</strong>u avec les méthodologies<br />
traditionnelles.<br />
Le second amplificateur a été développé dans <strong>la</strong> ban<strong>de</strong> Ku sur <strong>la</strong> ban<strong>de</strong> <strong>de</strong> fréqu<strong>en</strong>ce<br />
[12.5GHz-12.75 GHz] utilisant un transistor pHEMT 1250 μm. Compte t<strong>en</strong>u du gain assez<br />
faible du transistor dans c<strong>et</strong>te ban<strong>de</strong>, les résultats prés<strong>en</strong>tés sont peu significatifs. Toutefois<br />
c<strong>et</strong>te caractérisation a permis <strong>de</strong> définir les limites <strong>de</strong> <strong>la</strong> technologie pHEMT sur c<strong>et</strong>te ban<strong>de</strong>.<br />
Une <strong>de</strong>s premières perspectives ouvertes par ce travail est <strong>la</strong> possibilité <strong>de</strong> mise au<br />
point d’une base <strong>de</strong> données <strong>de</strong> transistors <strong>de</strong> puissance <strong>et</strong> d’amplificateurs représ<strong>en</strong>tés par<br />
leurs abaques C/(N+I). Ces caractéristiques perm<strong>et</strong>tront dans un premier temps dévaluer<br />
l’apport <strong>de</strong>s différ<strong>en</strong>tes technologies <strong>et</strong> part ailleurs <strong>de</strong> comparer différ<strong>en</strong>tes structures<br />
d’amplificateurs. C<strong>et</strong>te démarche est actuellem<strong>en</strong>t <strong>en</strong>visagée dans l’étu<strong>de</strong> d’un logiciel<br />
assistant expert d’ai<strong>de</strong> <strong>à</strong> <strong>la</strong> <strong>conception</strong> <strong>de</strong> circuits non-linéaires.<br />
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