Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE
I.2.1.2. - Mesures des paramètres S en impulsion
Pour assurer l’intégrité de la caractérisation et des modèles qui en seront issus, les
mesures de paramètres S sont effectuées dans les mêmes conditions (thermique, pièges etc.)
que les mesures des caractéristiques statiques. Pour cela une impulsion RF est générée et
superposée aux impulsions de la polarisation (Figure I.). La mesure des paramètres [S]
s’effectue durant l’impulsion RF. En générale, cette mesure est effectuée sur une fenêtre
temporelle plus courte qui peut être déplacée dans l’impulsion. Ceci permet d’attendre l’état
établi.
Plusieurs mesures à différentes fréquences [0-40 GHz] sont nécessaires pour
caractériser le transistor.
Niveau des
impulsions DC
Point de
polarisation
instantanée
Niveau de repos
point de
polarisation
Tensions de
commande
400 ns
500 ns
Fenêtre de stimulus
250 ns
300 ns
Fenêtre de mesure
Figure I.2 – Mesure des paramètres S en impulsions
I.2.1.3. - Banc de mesure en impulsion
Temps
(ns)
Le schéma complet du banc de mesure de l’IRCOM [1]- [3], entièrement géré par un
micro-ordinateur à travers la liaison HPIB, est représenté Figure I.3. Il permet la
caractérisation de transistors dans la bande [2-40 GHz].
8