Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
IV.3.3. - VERIFICATION EXPERIMENTALE DE LA METHODOLOGIE DE
CONCEPTION
Nous avons présenté les différentes caractéristiques de l’amplificateur pour des
impédances se situant autour de 50 Ohms. Ces impédances ont toutes un module de
coefficient de réflexion égale à 0.2. Les résultats sont présentés Figure IV.34 à Figure IV.40.
Les résultats présentés sont moins significatifs que ceux présentés pour l’amplificateur
HFET. Le gain étant beaucoup plus faible la consommation des étages drivers ne sera pas
négligeable. Les caractéristiques obtenues exagèrent beaucoup les possibilités de
l’amplificateur.
Pour obtenir des résultats plus réalistes il serait nécessaire d’optimiser une cellule
élémentaire ayant un gain aux moins égale à 15 dB. Ceci ne peut être réalisé qu’en optimisant
au moins deux cellules en série.
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