Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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9,5<br />
9<br />
8,5<br />
8<br />
7,5<br />
7<br />
6,5<br />
6<br />
5,5<br />
5<br />
CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR<br />
Gain (dB)<br />
AMPLIFICATEUR BANDE Ku (12.5-12.75 GHz)<br />
Transistor pHEMT<br />
C<strong>la</strong>sse <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t : AB<br />
Id0=30 mA Vds0=7 V<br />
Fréqu<strong>en</strong>ce : 12.625 GHz<br />
Impédances <strong>de</strong> charge : 50 Ohms<br />
Ps (dBm)<br />
NPR (dBm)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
34<br />
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Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
5 8 11 14 17 20<br />
Pe (dBm)<br />
5 8 11 14 17 20<br />
Pe (dBm)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
40<br />
35<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
10<br />
5<br />
5 8 11 14 17 20<br />
R<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t (%)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
Pe (dBm)<br />
5 8 11 14 17 20<br />
Pe (dBm)<br />
Figure IV.33 – Caractéristiques multiporteuse <strong>de</strong> l’amplificateur<br />
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