Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE
I.2.1.1. - Caractérisation convective des transistors
Le principe de la caractérisation impulsionnelle d’un transistor repose sur la technique
de polarisation. Des impulsions de tensions sont appliqués à l’entrée et à la sortie du
composant à partir de tensions de repos Vgs0 etVds0 (Figure I.1). Ces pulses d’amplitude
Vgsi et Vdsi permettent d’atteindre tous les points fonctionnement statiques et notamment de
mesurer certaines caractéristiques délicates comme les courants d’avalanche.
I d (mA)
0
Figure I.1 – Principe de la mesure en pulsé
La température du transistor dépend directement de la puissance moyenne dissipée
dans le transistor. Si les impulsions sont suffisamment brèves et le rapport cyclique petit, le
gain ou la perte d’énergie dissipée par le transistor lors de ces impulsions est négligeable
devant celle dissipée lorsque le transistor se trouve à son point de repos. Dans ces conditions,
la température du transistor est imposée par le point de repos.
En pratique, il est nécessaire d’imposer une durée d’impulsion minimum pour que
l’état établi soit atteint lors de la mesure des tensions et courants d’entrée et de sortie. Le
rapport cyclique doit être suffisamment grand pour permettre d’effectuer un nombre
raisonnable de mesures.
0
V gs (V)
I d (mA)
Les valeurs généralement retenues pour une caractérisation en impulsions sont de
300 ns pour les impulsions DC et une récurrence de 10 μs.
0
0
V gs0 V gsi V dsi V ds0
t
cycle
τ
7
t
V ds (V)
I d
I d0
t