Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR<br />
IV.3.2.3. - Synthèse <strong>de</strong>s circuits d’adaptation<br />
La ban<strong>de</strong> <strong>de</strong> fréqu<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> c<strong>et</strong> amplificateur a été fixée <strong>à</strong> [12.5-12.75 GHz]. Elle<br />
correspond <strong>à</strong> celle <strong>de</strong> l’amplificateur (technologie pHEMT) du proj<strong>et</strong> STENTOR qui a fait<br />
l’obj<strong>et</strong> d’une caractérisation <strong>en</strong> NPR. Les impédances <strong>de</strong> charges <strong>optimale</strong>s du transistor,<br />
correspondant au critère défini chapitre III, sont prés<strong>en</strong>tées dans le Tableau 6.<br />
Les circuits d’adaptation ont été réalisés sur un substrat d’alumine (Tableau 7) <strong>de</strong><br />
dim<strong>en</strong>sion 8.42mm x 8.73 mm chacune.<br />
caractéristiques valeurs<br />
Permittivité re<strong>la</strong>tive<br />
εr<br />
9.9<br />
Epaisseur du diélectrique H 254 μ m<br />
Epaisseur <strong>de</strong> <strong>la</strong> métallisation T 5μ<br />
m<br />
Tang<strong>en</strong>te <strong>de</strong> pertes tan δ<br />
0.0002<br />
Conductivité métallique (re<strong>la</strong>tive <strong>à</strong> l’or) 1<br />
Tableau 12 – Caractéristiques du substrat alumine employé<br />
La technique <strong>de</strong> synthèse <strong>de</strong>s circuits est id<strong>en</strong>tique <strong>à</strong> celle utilisé pour l’amplificateur<br />
ban<strong>de</strong> S prés<strong>en</strong>té précé<strong>de</strong>mm<strong>en</strong>t. Nous avons juste ajouté <strong>de</strong>s lignes quart d’on<strong>de</strong> au niveau<br />
du circuit <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation pour r<strong>en</strong>forcer le découp<strong>la</strong>ge DC/RF effectué par <strong>de</strong>s capacités se<br />
situant <strong>à</strong> l’extérieur <strong>de</strong>s alumines. Après ajustage du circuit les caractéristiques mesurées <strong>de</strong><br />
l’amplificateur suiv<strong>en</strong>t parfaitem<strong>en</strong>t les caractéristiques simulées. Le gain p<strong>et</strong>it signal est<br />
compris <strong>en</strong>tre 8.5 <strong>et</strong> 8.8 dB <strong>et</strong> le TOS d’<strong>en</strong>trée est inférieur <strong>à</strong> 12 dB dans toute <strong>la</strong> ban<strong>de</strong><br />
considérée. Les pertes du réseau d’<strong>en</strong>trée, du <strong>à</strong> <strong>la</strong> résistance <strong>de</strong> stabilisation <strong>en</strong> série sur <strong>la</strong><br />
grille, sont inférieures <strong>à</strong> 1.8 dB.<br />
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