Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
IV.3.2.3. - Synthèse des circuits d’adaptation
La bande de fréquence de cet amplificateur a été fixée à [12.5-12.75 GHz]. Elle
correspond à celle de l’amplificateur (technologie pHEMT) du projet STENTOR qui a fait
l’objet d’une caractérisation en NPR. Les impédances de charges optimales du transistor,
correspondant au critère défini chapitre III, sont présentées dans le Tableau 6.
Les circuits d’adaptation ont été réalisés sur un substrat d’alumine (Tableau 7) de
dimension 8.42mm x 8.73 mm chacune.
caractéristiques valeurs
Permittivité relative
εr
9.9
Epaisseur du diélectrique H 254 μ m
Epaisseur de la métallisation T 5μ
m
Tangente de pertes tan δ
0.0002
Conductivité métallique (relative à l’or) 1
Tableau 12 – Caractéristiques du substrat alumine employé
La technique de synthèse des circuits est identique à celle utilisé pour l’amplificateur
bande S présenté précédemment. Nous avons juste ajouté des lignes quart d’onde au niveau
du circuit de polarisation pour renforcer le découplage DC/RF effectué par des capacités se
situant à l’extérieur des alumines. Après ajustage du circuit les caractéristiques mesurées de
l’amplificateur suivent parfaitement les caractéristiques simulées. Le gain petit signal est
compris entre 8.5 et 8.8 dB et le TOS d’entrée est inférieur à 12 dB dans toute la bande
considérée. Les pertes du réseau d’entrée, du à la résistance de stabilisation en série sur la
grille, sont inférieures à 1.8 dB.
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