Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

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CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR IV.3.1.2. - Modélisation des non-linéarités Les caractéristiques statiques ont permis l’extraction du modèle non-linéaire de la source de courant ainsi que les modèles des diodes grille-source et grille-drain. Seule les résistances d’accès déterminées précédemment interviennent dans la modélisation statique du transistor. La source de courant a été modélisée par le modèle du Tajima modifié. Les réseaux de sortie et d’entrée obtenus en simulation et mesure sont présentés Figure IV.29. Il y a une très bonne concordance pour les réseaux d’entrée et de sortie. 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 Id (A) 0 2 4 6 8 10 12 Vds (Volts) Vgs=+0,750 V Vgs=+0,500 V Vgs=+0,250 V Vgs=+0,000 V Vgs=-0,250 V Vgs=-0,500 V Vgs=-0,750 V Vgs=-1,000 V Vgs=-1,250 Vgs=-1,500 V Vgs=-1,750 V 3,00E-03 2,50E-03 2,00E-03 1,50E-03 1,00E-03 5,00E-04 0,00E+00 Ig (A) Vgs=+0,750 V Vgs=+0,500 V Vgs=+0,250 V Vgs=+0,000 V Vgs=-0,250 V Vgs=-0,500 V Vgs=-0,750 V Vgs=-1,000 V Vgs=-1,250 Vgs=-1,500 V Vgs=-1,750 V 0 2 4 6 Fréquence (GHz) 8 10 12 Figure IV.29 – Réseaux de sortie (Id) et d’entrée (Ig) en fonction de Vgs et Vds Les paramètres des différentes non-linéarités sont présentés Tableau 9. Paramètres du modèle de tajima modifié Idss=0.592 P=4.17-2 Vdsp=0.195 Alpha_gm=2.227 A=5.02 e -9 W=5.00 e -11 M=7.52 Beta_gm=4.76 e -2 B=1.68 e -1 Vp0=0.637 Vphi=0.134 Vgm=0.737 Vgd=7.07 Diodes Variables Isgs=2.76 e -15 Ngs=1.76 Q=9.36 e -14 F Ta=295 K e Isgd=1.82 -15 Ngd=1.76 K=1.38 e -23 J /K Tableau 9 Paramètres des modèles non-linéaires La modélisation de la capacité C a été effectuée à tension de drain constante. Les gs paramètres de la capacité basée sur le modèle d’Alaoui déjà présentée sont donnés Tableau 10. Cgs0 Cb Vb Vt DD N 2.799 e -12 3.91 e e e -13 3.03 -2 -0.817 0.215 -5.66 -11 Tableau 10 – Paramètres de la capacité non-linéaire Cgs 163
CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR IV.3.2. - CONCEPTION DE L’AMPLIFICATEUR IV.3.2.1. - Analyse de la stabilité linéaire du transistor L’analyse de Nyquist ayant montré que le transistor est intrinsèquement stable sur 50 Ohms, l’analyse des facteurs K et B confirme qu’il le transistor est inconditionnellement stable dans la bande [8-40 GHz]. 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 K Simulation 0 5 10 15 20 25 30 35 40 Fréquence (GHz) 2 1,5 1 0,5 0 B 0 5 10 15 20 25 30 35 40 Fréquence (GHz) Figure IV.30 – Facteur K et B sur la bande [0-40 GHz] IV.3.2.2. - Optimisation du transistor Simulation L’optimisation du transistor a permis de déterminer les conditions de fonctionnement optimales au fondamentale. L’influence des impédances présentées aux harmoniques d’ordre supérieur à un est négligeable nous avons donc considéré des courts-circuits. Les valeurs des impédances sont présentées ci-dessous : Zout(f0) Zout(2f0) Ze(2f0) Impédances 13.0+j*0.0 CC CC Tableau 11 - Impédances optimales 164
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JURY : N° d'ordre : 9-2000 THÈSE
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Table des matières ******** CHAPIT
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III.3. - METHODOLOGIE ACTUELLE DE C
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Figure III.9 - Contours à puissanc
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FigureIV.45 - Conditions de stabili
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INTRODUCTON GENERALE L’industrie
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CHAPITRE I - OUTILS DE MODELISATION
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