Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
IV.3.1.2. - Modélisation des non-linéarités
Les caractéristiques statiques ont permis l’extraction du modèle non-linéaire de la
source de courant ainsi que les modèles des diodes grille-source et grille-drain. Seule les
résistances d’accès déterminées précédemment interviennent dans la modélisation statique du
transistor. La source de courant a été modélisée par le modèle du Tajima modifié. Les réseaux
de sortie et d’entrée obtenus en simulation et mesure sont présentés Figure IV.29. Il y a une
très bonne concordance pour les réseaux d’entrée et de sortie.
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
Id (A)
0 2 4 6 8 10 12
Vds (Volts)
Vgs=+0,750 V
Vgs=+0,500 V
Vgs=+0,250 V
Vgs=+0,000 V
Vgs=-0,250 V
Vgs=-0,500 V
Vgs=-0,750 V
Vgs=-1,000 V
Vgs=-1,250
Vgs=-1,500 V
Vgs=-1,750 V
3,00E-03
2,50E-03
2,00E-03
1,50E-03
1,00E-03
5,00E-04
0,00E+00
Ig (A)
Vgs=+0,750 V
Vgs=+0,500 V
Vgs=+0,250 V
Vgs=+0,000 V
Vgs=-0,250 V
Vgs=-0,500 V
Vgs=-0,750 V
Vgs=-1,000 V
Vgs=-1,250
Vgs=-1,500 V
Vgs=-1,750 V
0 2 4 6
Fréquence (GHz)
8 10 12
Figure IV.29 – Réseaux de sortie (Id) et d’entrée (Ig) en fonction de Vgs et Vds
Les paramètres des différentes non-linéarités sont présentés Tableau 9.
Paramètres du modèle de tajima modifié
Idss=0.592 P=4.17-2 Vdsp=0.195 Alpha_gm=2.227
A=5.02 e -9 W=5.00 e -11 M=7.52 Beta_gm=4.76 e -2
B=1.68 e -1 Vp0=0.637 Vphi=0.134 Vgm=0.737 Vgd=7.07
Diodes Variables
Isgs=2.76 e -15 Ngs=1.76 Q=9.36 e -14 F Ta=295 K
e
Isgd=1.82 -15 Ngd=1.76 K=1.38 e -23 J /K
Tableau 9 Paramètres des modèles non-linéaires
La modélisation de la capacité C a été effectuée à tension de drain constante. Les
gs
paramètres de la capacité basée sur le modèle d’Alaoui déjà présentée sont donnés Tableau
10.
Cgs0 Cb Vb Vt DD N
2.799 e -12 3.91 e e e
-13 3.03 -2 -0.817 0.215 -5.66 -11
Tableau 10 – Paramètres de la capacité non-linéaire Cgs
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