Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
sous le logiciel MDS les lignes d’accès du transistor. Le modèle de ces lignes est présenté en
Annexe 2.
Figure IV.27 – Lignes d’accès du transistor
A l’aide de ces modèles il nous a été possible d’accéder aux paramètres S, par
deembedding du transistor, et de modéliser la partie intrinsèque du transistor. Un modèle
linéaire, basé sur les paramètres S d’un point de mesure proche du point de polarisation
choisi, a été extrait. Les valeurs des éléments intrinsèques et extrinsèques sont résumées dans
le Tableau 8.
Rg Rd Rs Lg Ld Ls Cds Cgd Gm Gd Cpg Cpd Ri τ
0.87 0.44 0.5 2.9 23.4 11.44 254 103.7 373 10.8 2.93 5.46 0.57 2.92
pH pH pH fF fF mS mS fH fH pH
Ω Ω Ω Ω
Tableau 8 - Valeurs des éléments intrinsèques et extrinsèques
Afin de valider ce modèle linéaire nous avons reconstitué le modèle entier, intégrant
les boites de paramètres S des lignes d’accès, et comparé les résultats de simulations à ceux
mesurés. Nous pouvons voir Figure IV.28 que le modèle reproduit parfaitement le
comportement linéaire du transistor au point de polarisation considéré sur la bande [2-40
GHz].
Par la suite nous conserverons les valeurs des éléments extrinsèques ainsi que les
valeurs des éléments intrinsèques : C , Cgd et τ. Seule la capacité Cgs
sera prise non
ds
linéaire. Nous allons maintenant nous intéresser à la modélisation non-linéaire du transistor.
161