Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR<br />
sous le logiciel MDS les lignes d’accès du transistor. Le modèle <strong>de</strong> ces lignes est prés<strong>en</strong>té <strong>en</strong><br />
Annexe 2.<br />
Figure IV.27 – Lignes d’accès du transistor<br />
A l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> ces modèles il nous a été possible d’accé<strong>de</strong>r aux paramètres S, par<br />
<strong>de</strong>embedding du transistor, <strong>et</strong> <strong>de</strong> modéliser <strong>la</strong> partie intrinsèque du transistor. Un modèle<br />
linéaire, basé sur les paramètres S d’un point <strong>de</strong> mesure proche du point <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation<br />
choisi, a été extrait. Les valeurs <strong>de</strong>s élém<strong>en</strong>ts intrinsèques <strong>et</strong> extrinsèques sont résumées dans<br />
le Tableau 8.<br />
Rg Rd Rs Lg Ld Ls Cds Cgd Gm Gd Cpg Cpd Ri τ<br />
0.87 0.44 0.5 2.9 23.4 11.44 254 103.7 373 10.8 2.93 5.46 0.57 2.92<br />
pH pH pH fF fF mS mS fH fH pH<br />
Ω Ω Ω Ω<br />
Tableau 8 - Valeurs <strong>de</strong>s élém<strong>en</strong>ts intrinsèques <strong>et</strong> extrinsèques<br />
Afin <strong>de</strong> vali<strong>de</strong>r ce modèle linéaire nous avons reconstitué le modèle <strong>en</strong>tier, intégrant<br />
les boites <strong>de</strong> paramètres S <strong>de</strong>s lignes d’accès, <strong>et</strong> comparé les résultats <strong>de</strong> simu<strong>la</strong>tions <strong>à</strong> ceux<br />
mesurés. Nous pouvons voir Figure IV.28 que le modèle reproduit parfaitem<strong>en</strong>t le<br />
comportem<strong>en</strong>t linéaire du transistor au point <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation considéré sur <strong>la</strong> ban<strong>de</strong> [2-40<br />
GHz].<br />
Par <strong>la</strong> suite nous conserverons les valeurs <strong>de</strong>s élém<strong>en</strong>ts extrinsèques ainsi que les<br />
valeurs <strong>de</strong>s élém<strong>en</strong>ts intrinsèques : C , Cgd <strong>et</strong> τ. Seule <strong>la</strong> capacité Cgs<br />
sera prise non<br />
ds<br />
linéaire. Nous allons maint<strong>en</strong>ant nous intéresser <strong>à</strong> <strong>la</strong> modélisation non-linéaire du transistor.<br />
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