Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
IV.3. - REALISATION DE L’AMPLIFICATEUR BANDE KU
IV.3.1. - MODELISATION DU TRANSISTOR PHEMT TI 1250
Ce composant a fait l’objet d’une caractérisation I(V) et RF (2-40 GHz) sur le banc de
mesure en impulsion de l’IRCOM BRIVE. La caractérisation du pHEMT a été réalisée en
classe AB profonde (Vgs=-0.732, Vds=7.245 V, Idss0=44.5 mA).
A partir de ces mesures, un modèle a été extrait. La topologie du modèle utilisée est
celle de la Figure IV.26.
Cpg
Lg Rg Rd Ld
Igs
Ri
Igd
Cgs
Cgd
Ids
Rs
Ls
Cds
Figure IV.26 – Topologie du modèle
Il est apparu lors de mesure à plusieurs points de polarisation correspondant à un
même état thermique que les réseaux statiques étaient sensiblement différents les uns des
autres, ce qui est caractéristique des effets de piège. La modélisation des effets de piège
apporte une nouvelle dimension au modèle mais nous n’avons pas effectué cette modélisation
par faute de temps. Le modèle présenté par la suite ne prend pas en compte ces effets. Nous
espérons que qualitativement ce modèle sera suffisant.
IV.3.1.1. - Modèle linéaire
La topologie du modèle de transistor utilisé n’a pas permis pas de modéliser avec
précision un transistor sur une large bande de fréquence. Les inductances et les résistances
d’accès, ainsi que les capacités de plot, ne permettent pas de représenter les lignes d’accès au
transistor (Figure IV.27) sur la bande de fréquence 2-40 GHz. Pour cela nous avons modélisé
160
Cpd