Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE
I.2. - MODELISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTOR
La caractérisation des composants constitue une étape indispensable pour la
modélisation. Les outils de caractérisation disponibles sont l’un des facteurs qui conditionne
le développement des modèles.
De nombreux effets sont susceptibles de modifier le comportement non-linéaire d’un
transistor. Il est intéressant de pouvoir se placer dans des conditions de fonctionnement
précises pour extraire un modèle représentatif d’un fonctionnement particulier. Les principaux
effets qui limitent la validité de nombreux modèles sont les effets thermiques et les effets de
pièges.
I.2.1. - BANC DE CARACTERISATION DE TRANSISTOR
A l’heure actuelle la modélisation des transistors est effectuée à l’aide de deux types
de mesures :
Mesures hyperfréquences
Mesures I(V)
Les mesures hyperfréquences permettent d’extraire un modèle petit signal du transistor
et donnent accès aux éléments extrinsèques. Elles donnent également accès aux éléments
intrinsèques non linéaires réactifs lorsque la caractérisation est poursuivit pour tous les points
de la caractéristique statique du transistor. Cette dernière permet d’établir les équations des
caractéristiques non-linéaires.
Afin de contrôler lors de la caractérisation les effets parasites, un procédé de mesure a
été développé qui permet de réaliser des mesures I(V) de transistors dans des conditions
quasi-équithermiques avec un contrôle des états de pièges. Ce procédé est basé sur la
caractérisation en impulsions [1] [2].
L’évolution apportée par ce procédé a permis l’émergence de modèles prenant en
compte aussi bien les effets thermiques que les effets de pièges [3].
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