Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
IV.2.5. - POTENTIEL TECHNOLOGIQUE
Pour s’intéresser d’un peu plus près aux performances de l’amplificateur, nous avons
tracé Figure IV.24 l’abaque complet du C/(N+I) pour l’amplificateur HFET. Nous y avons fait
figurer :
Le rapport C/N
Le NPR(C/I)
La puissance de sortie (C)
Le rendement
Le gain
L’une des caractéristiques majeures que nous pouvons observer est la différence
importante entre le rapport signal à bruit est le NPR optimal de l’ordre de 4 à 6 dB. En effet
pour une valeur de rapport C/(N+I) de 15 dB, le NPR correspondant au fonctionnement
optimal d’une cellule est de 21 dB. Le rapport signal à bruit est principalement imposé par le
rapport C/N sur toute la caractéristique. Nous retrouvons ces tendances sur les caractéristiques
de l’amplificateur GPAD (Figure IV.25).La différence entre les caractéristiques de C/N et C/I
est moins importante pour cet amplificateur surtout à fort niveau.
Pour un rapport signal à bruit de 15 dB, la valeur optimale de Pdc/N pour
l’amplificateur GPAD est de 28 dB contre seulement 22 dB pour l’amplificateur HFET. Une
partie de la différence provient du fait que l’amplificateur comprend plusieurs étages et sort
une puissance bien plus importante que notre amplificateur, ceci implique plus de pertes.
Toutefois la marge de 6 dB laisse espérer que la conception d’un amplificateur autour de notre
cellule garantirait un meilleur comportement en linéarité et consommation.
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