Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
L’erreur sur le rendement est par contre très importante. A la saturation, l’écart entre le
modèle et la simulation atteint 15 points. Ceci est surprenant puisqu’il y avait une bonne
corrélation entre les mesures effectuées sur le transistor et le modèle pour ce paramètre. En
mesure le rendement du transistor atteignait 70 %. Des mesures effectuées sur le banc Load-
Pull n’ont pas permis de retrouver ces conditions de fonctionnement. L’écart est imputable
soit au transistor qui est différent de celui utilisé lors de la modélisation soit à des pertes
introduites lors de la réalisation.
IV.2.3.5.2. - Fonctionnement multiporteuse
Les mesures en fonctionnement multiporteuse ont été effectuées au même point de
polarisation que le mesures en CW, et à la même fréquence (2.18 GHz).
Pour des raisons de temps de calcul les simulations ont été effectuées avec signal
constitué de 1000 porteuses et d’un trou de 5 % par rapport à la bande totale. Dix moyennes
ont permis d’atteindre une variance acceptable. Les signaux utilisés en mesure sont constitués
de 10000 porteuses et d’un trou de 5 %. Pour les simulations et les mesures la bande
d’analyse est de 20 MHz.
La comparaison entre simulation et mesure porte sur les courbes de :
Puissance de sortie
Rapport signal à bruit d’intermodulation (NPR)
Rendement en puissance ajoutée
Gain
En puissance et rendement les tendances observées pour un fonctionnement CW sont
conservées. Le modèle prend très bien en compte la caractéristique de puissance. L’écart en
rendement s’est réduit à 5 points. Par contre la caractéristique de NPR représentant la linéarité
de l’amplificateur est très male prédite. Pour des niveaux de NPR mesurés de 25 dB la
simulation se situe 7 dB au-dessus. A fort niveau de puissance (NPR inférieur à 20dB) le
modèle prédit bien le comportement non-linéaire du transistor.
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