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Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

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CHAPITRE I – OUTILS DE MODELISATION, DE CARACTERISATION ET D’ANALYSE NON-LINEAIRE<br />

I.1. - INTRODUCTION<br />

Aujourd’hui il est une évid<strong>en</strong>ce que <strong>la</strong> simu<strong>la</strong>tion constitue une étape primordiale.<br />

L’ajustage <strong>de</strong>s circuits monolithiques est délicat voir impossible.<br />

Une simu<strong>la</strong>tion précise <strong>de</strong>s circuits perm<strong>et</strong> d’atteindre rapi<strong>de</strong>m<strong>en</strong>t les performances<br />

recherchées mais égalem<strong>en</strong>t d’étudier les r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>ts <strong>de</strong> fabrication. Ceci <strong>à</strong> pour eff<strong>et</strong>s <strong>de</strong><br />

diminuer le coût <strong>de</strong> développem<strong>en</strong>t. L’é<strong>la</strong>boration <strong>de</strong> modèles non-linéaires fiables <strong>et</strong> robustes<br />

est donc primordiale , ceci fait appel <strong>à</strong> <strong>de</strong>s outils <strong>et</strong> mécanisme sophistiqués <strong>de</strong> caractérisation<br />

, d’extraction <strong>et</strong> <strong>de</strong> validation <strong>de</strong> modèles <strong>de</strong> transistors. Les outils <strong>de</strong> simu<strong>la</strong>tions doiv<strong>en</strong>t être<br />

égalem<strong>en</strong>t capables d’exploiter aux mieux les informations fournis par les modèles.<br />

Dans <strong>la</strong> première partie <strong>de</strong> ce chapitre, nous ferons une <strong>de</strong>scription succincte du banc<br />

<strong>de</strong> mesures convectives hyperfréqu<strong>en</strong>ces <strong>en</strong> impulsions développé <strong>à</strong> l’IRCOM <strong>et</strong> dédié <strong>à</strong><br />

l’extraction <strong>de</strong> modèles électriques <strong>de</strong> transistor.<br />

Afin <strong>de</strong> souligner l’importance d’une représ<strong>en</strong>tation fine <strong>de</strong>s phénomènes parasites<br />

comme les eff<strong>et</strong>s thermiques <strong>et</strong> les eff<strong>et</strong>s <strong>de</strong> pièges, nous m<strong>et</strong>trons <strong>en</strong> avant leurs répercutions<br />

sur <strong>la</strong> <strong>linéarité</strong> <strong>de</strong>s amplificateurs.<br />

Dans <strong>la</strong> secon<strong>de</strong> partie nous prés<strong>en</strong>terons les bancs <strong>de</strong> caractérisation fonctionnelle<br />

que nous avons utilisée. Ils nous ont permis <strong>à</strong> <strong>la</strong> fois <strong>de</strong> vali<strong>de</strong>r les modèles <strong>et</strong> d’optimiser les<br />

impédances <strong>de</strong> ferm<strong>et</strong>ure. Le premier est un banc <strong>de</strong> mesure <strong>de</strong> type load-pull<br />

multiharmonique <strong>et</strong> le second un banc <strong>de</strong> mesure <strong>de</strong> NPR.<br />

La troisième partie sera consacré aux métho<strong>de</strong>s d’analyse <strong>de</strong> circuits. Dans le domaine<br />

<strong>de</strong>s fréqu<strong>en</strong>ces micro-on<strong>de</strong>s <strong>la</strong> technique d’analyse <strong>la</strong> plus utilisé <strong>et</strong> l’harmonique ba<strong>la</strong>nce.<br />

C<strong>et</strong>te technique perm<strong>et</strong> une étu<strong>de</strong> précise <strong>et</strong> rapi<strong>de</strong> <strong>de</strong>s circuits. Toutefois elle se prête mal <strong>à</strong><br />

l’analyse <strong>de</strong> signaux composés d’un grand nombre <strong>de</strong> fréqu<strong>en</strong>ce.<br />

Nous prés<strong>en</strong>terons une étu<strong>de</strong> comparative <strong>de</strong>s différ<strong>en</strong>tes techniques d’analyse<br />

disponibles <strong>à</strong> l’heure actuelle pour <strong>la</strong> simu<strong>la</strong>tion <strong>de</strong> signaux composés <strong>de</strong> porteuses modulées.<br />

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