Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR<br />
S11 (dB)<br />
AMPLIFICATEUR BANDE S (2.08-2.28 GHz)<br />
Transistor HFET<br />
C<strong>la</strong>sse <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t : AB<br />
Id0=30 mA Vds0=7 V<br />
Fréqu<strong>en</strong>ce : 2.18 GHz<br />
Impédances <strong>de</strong> charge : 50 Ohms<br />
2,1 2,15 2,2 2,25 2,3<br />
Fréqu<strong>en</strong>ce (GHz)<br />
Pertes du réseau <strong>de</strong> sortie (dB)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
2,08 2,13 2,18 2,23 2,28<br />
fréqu<strong>en</strong>ce (GHz)<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
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Gain (dB)<br />
2,1 2,15 2,2 2,25 2,3<br />
Pertes du réseau d'<strong>en</strong>trée (dB)<br />
Fréqu<strong>en</strong>ce (GHz)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
2,08 2,13 2,18 2,23 2,28<br />
fréqu<strong>en</strong>ce (GHz)<br />
Figure IV.12 – Caractéristiques linéaires <strong>de</strong> l’amplificateur<br />
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