Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
élément reste la résistance que nous avons choisie de placer en série sur la grille du transistor.
En atténuant les réflexions du transistor elle permet de faire reculer les cercles de stabilité vers
l’extérieur de l’abaque. Une valeur de résistance de 10 Ohms a été choisie de manière à
assurer la stabilité du transistor dans la bande de fréquence [2.08-2.28 GHz]. Une valeur plus
grande assurerait une stabilité inconditionnelle quelle que soit la fréquence mais diminuerait
le gain de manière trop importante. Pour la valeur de 10 Ohms, nous avons ainsi obtenu une
chute de gain de 6 dB.
0,1 GHz 2 GHz 4 GHz 6 GHz 8 GHz 0,1 GHz 2 GHz 4 GHz 6 GHz 8 GHz
Figure IV.4 – Cercles de stabilité du transistor HFET
Ayant stabilisé le transistor dans la bande de fonctionnement, la phase suivante
consiste à rechercher les conditions de fonctionnement optimales de celui-ci en présence de la
résistance de stabilisation. Les réseaux d’adaptation étant susceptibles de modifier le
comportement du transistor, les éventuelles instabilités hors bande seront considérées après la
phase d’optimisation.
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