Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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26<br />
24<br />
22<br />
20<br />
18<br />
16<br />
14<br />
25<br />
24<br />
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18<br />
17<br />
16<br />
15<br />
CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR<br />
Ps (dBm)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
-10 -7 -4 -1 2 5 8 11<br />
Gain (dB)<br />
Pe (dBm)<br />
-10 -7 -4 -1 2 5 8 11<br />
Pe (dBm)<br />
Transistor HFET TI 600 μm<br />
Transistor HFET<br />
C<strong>la</strong>sse <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t : AB<br />
Id0=30 mA Vds0=7 V<br />
F1 : 2 GHz & F2 : 2.001 GHz<br />
Impédances <strong>de</strong> charge : 50 Ohms<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
45<br />
40<br />
35<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
10<br />
60<br />
55<br />
50<br />
45<br />
40<br />
35<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
10<br />
Figure IV.1 – Comparaison mesures/modèle pour un fonctionnem<strong>en</strong>t <strong>à</strong> 2<br />
porteuses<br />
C/I (dBc)<br />
-10 -7 -4 -1 2 5 8 11<br />
R<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t (%)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
Pe (dBm)<br />
Mesure<br />
Simu<strong>la</strong>tion<br />
-10 -7 -4 -1 2 5 8 11<br />
135<br />
Pe (dBm)
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