Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR<br />
IV.2. - CONCEPTION DE L’AMPLIFICATEUR BANDE S<br />
L’amplificateur a été conçu <strong>en</strong> ban<strong>de</strong> S <strong>à</strong> <strong>la</strong> fréqu<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> 2.18 GHz, fréqu<strong>en</strong>ce <strong>de</strong><br />
travail <strong>de</strong> l’amplificateur GPAD, qui a déj<strong>à</strong> fait l’obj<strong>et</strong>, dans le cadre <strong>de</strong> sa <strong>conception</strong>, d’une<br />
caractérisation sur le banc <strong>de</strong> mesure NPR <strong>de</strong> <strong>la</strong> société ALCATEL SPACE INDUSTRIES.<br />
Le transistor utilisé pour c<strong>et</strong>te étu<strong>de</strong> est issu <strong>de</strong> <strong>la</strong> filière HFET <strong>de</strong> <strong>la</strong> fon<strong>de</strong>rie Texas<br />
Instrum<strong>en</strong>ts. Il comporte 12 doigts <strong>de</strong> 100 μ m pour un développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> grille total <strong>de</strong><br />
1200 μ m . Sa fréqu<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> coupure est <strong>de</strong> 10 GHz.<br />
Un modèle électrique <strong>de</strong> ce transistor a été extrait <strong>à</strong> partir <strong>de</strong>s mesures I/V <strong>et</strong> <strong>de</strong><br />
paramètres S <strong>en</strong> impulsions.<br />
IV.2.1. - MODELISATION DU TRANSISTOR HFET<br />
Ce composant a fait l’obj<strong>et</strong> d’une caractérisation I/V <strong>et</strong> RF (2-9 GHz) sur le banc <strong>de</strong><br />
mesure <strong>en</strong> impulsions <strong>de</strong> l’IRCOM. La caractérisation du HFET a été réalisée <strong>en</strong> c<strong>la</strong>sse AB<br />
profon<strong>de</strong> (Vgs=-1.8 V, Vds=7 V, Idss0=30 mA).<br />
A partir <strong>de</strong> ces mesures, un modèle a été extrait. La topologie du modèle utilisée est<br />
celle <strong>de</strong> <strong>la</strong> Figure IV.20. Dans ce modèle, nous n’avons pas pris <strong>en</strong> compte les eff<strong>et</strong>s<br />
thermiques <strong>et</strong> <strong>de</strong> pièges.<br />
Les valeurs <strong>de</strong>s élém<strong>en</strong>ts extrinsèques sont résumées dans le Tableau 2.<br />
Rg (Ohm) Rd(Ohm) Rs(Ohm) Lg(pH) Ld(pH) Ls(pH) Cpg(fF) Cpd(fF)<br />
0.687 0.7457 0.2 2.32 195 15.19 272 165<br />
Tableau 2 - Elém<strong>en</strong>ts extrinsèques<br />
Les valeurs <strong>de</strong>s élém<strong>en</strong>ts intrinsèques sont résumées dans le Tableau 3<br />
Paramètres du modèle <strong>de</strong> tajima modifié<br />
Idss=0.280<br />
e<br />
P=1.0265 -1 Vdsp=0.50116 Alpha_gm=0.2062<br />
e<br />
A=2.36 -10 W=1.22 e -13 M=5.0257 B<strong>et</strong>a_gm=9.7821 e -1<br />
B=0.0 Vp0=1.52 Vphi=1.01 e -10 Vgm=13.26 Vgd=9.4686<br />
Dio<strong>de</strong>s Variables<br />
Isgs=1.16 e -13 Ngs=1.76 Q=1.6 e -19 F Ta=295 K<br />
e<br />
Isgd=7.65 -21 Ngd=1.76<br />
e<br />
K=1.38 -23 J :K<br />
Capacités Cgs Elém<strong>en</strong>ts linéaires<br />
e<br />
Cgs=1.0721 -12 Vt=-2.0793<br />
e<br />
Cgd=8.49 -14 Cds=1.98 e -13<br />
Cb=9.099 e -14 DD=0.49303 Tau=2.5 e -12<br />
e<br />
Vb=2.7193 -4 N=-8.0588 e -3 Ri=3.85 Rgd=0<br />
Tableau 3 - Paramètres du modèle non-linéaire<br />
133