Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

CHAPITRE IV – APPLICATION A LA CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR
IV.1. - INTRODUCTION
L’étude, menée dans les chapitres précédents, a abouti à la mise en place d’une
méthodologie de conception d’amplificateurs optimisés en linéarité et consommation. Cette
méthodologie s’appuie sur une caractérisation du transistor en monoporteuse, en C/I3 et en
NPR.
L’outil privilégié pour réaliser cette caractérisation est la simulation. Cependant
compte tenu de la précision limitée des modèles actuels, les résultats obtenus ne seront que
qualitatifs. Il est indispensable de confirmer, dans la mesure du possible, ces simulations par
des caractérisations expérimentales sur des bancs de Load-Pull et NPR.
Dans ce chapitre, nous allons réaliser la conception de deux amplificateurs dans le but
d’expérimenter la démarche théorique de conception que nous avons mise au point.
Le premier amplificateur sera réalisé autour d’un transistor HFET dans la bande S
(2.08-2.28 GHz).
Le second sera réalisé autour d’un transistor en technologie pHEMT dans la bande Ku
(12.5-12.75 GHz).
Ces bandes de fréquence et ces technologies ont été choisies afin de permettre par la
suite une comparaison avec des amplificateurs réalisés précédemment dans les mêmes bandes
et technologies.
Ceci permettra d’évaluer les apports de la nouvelle méthodologie de conception. Il
s’agit des amplificateurs GPAD et STENTOR.
Nous allons donc dans ce qui suit présenter la conception de chaque amplificateur
ainsi que les résultats obtenus après réalisation et les comparaisons avec les amplificateurs
précités.
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