Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...
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INTRODUCTON GENERALE<br />
Ce manuscrit s’articule autour <strong>de</strong> quatre gran<strong>de</strong>s parties.<br />
Dans <strong>la</strong> première partie, nous exposerons les différ<strong>en</strong>ts outils <strong>de</strong> caractérisation <strong>de</strong><br />
transistor afin <strong>de</strong> m<strong>et</strong>tre <strong>en</strong> avant les phénomènes parasites <strong>et</strong> leurs eff<strong>et</strong>s sur <strong>la</strong> <strong>linéarité</strong>, <strong>en</strong><br />
particulier les eff<strong>et</strong>s thermiques <strong>et</strong> <strong>de</strong> pièges.<br />
Nous nous intéresserons égalem<strong>en</strong>t aux bancs <strong>de</strong> caractérisation fonctionnelle pour <strong>la</strong><br />
validation <strong>de</strong> modèles <strong>et</strong> l’optimisation <strong>de</strong>s impédances <strong>de</strong> ferm<strong>et</strong>ure. De même nous<br />
passerons brièvem<strong>en</strong>t <strong>en</strong> revue les métho<strong>de</strong>s d’analyse disponibles pour <strong>la</strong> simu<strong>la</strong>tion <strong>de</strong>s<br />
signaux modulés.<br />
Dans <strong>la</strong> secon<strong>de</strong> partie nous nous sommes intéressés <strong>à</strong> différ<strong>en</strong>ts facteurs <strong>de</strong> <strong>linéarité</strong>.<br />
Une étu<strong>de</strong> approfondie du facteur <strong>de</strong> <strong>linéarité</strong> <strong>en</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t multiporteuse (le NPR) y est<br />
<strong>en</strong>treprise. Une métho<strong>de</strong> <strong>de</strong> simu<strong>la</strong>tion originale du NPR est prés<strong>en</strong>tée.<br />
La troisième partie est consacré <strong>à</strong> <strong>la</strong> nouvelle méthodologie d’optimisation du<br />
fonctionnem<strong>en</strong>t multiporteuse <strong>de</strong> transistors <strong>de</strong> puissance.<br />
On prés<strong>en</strong>te ainsi l’algorithme <strong>de</strong> construction d’un nouvel abaque (l’abaque C/(N+I))<br />
caractéristique du transistor ou <strong>de</strong> <strong>la</strong> cellule amplificatrice <strong>de</strong> puissance, <strong>à</strong> partir duquel le<br />
concepteur peut réaliser <strong>de</strong>s choix <strong>de</strong> technologie <strong>et</strong> <strong>la</strong> synthèse <strong>de</strong> l’amplificateur.<br />
Une démarche synthétique (ou méthodologie) d’amplificateur <strong>de</strong> puissance s’appuyant<br />
sur l’abaque C/(N+I) est mise <strong>en</strong> p<strong>la</strong>ce.<br />
Dans le quatrième chapitre nous avons appliqué <strong>la</strong> nouvelle méthodologie <strong>de</strong><br />
<strong>conception</strong> <strong>à</strong> <strong>la</strong> réalisation <strong>de</strong> <strong>de</strong>ux amplificateurs optimisés <strong>et</strong> <strong>linéarité</strong> <strong>et</strong> consommation.<br />
Nous exposons ainsi les étapes successives <strong>de</strong> <strong>la</strong> <strong>conception</strong> <strong>en</strong> prés<strong>en</strong>tant <strong>en</strong> parallèle une<br />
vérification expérim<strong>en</strong>tale <strong>de</strong>s résultats.<br />
Une caractérisation complète sur banc <strong>de</strong> NPR <strong>de</strong>s <strong>de</strong>ux amplificateurs réalisés est<br />
prés<strong>en</strong>tée.<br />
Enfin, <strong>la</strong> conclusion générale donne un aperçu <strong>de</strong>s perspectives ouvertes par ces<br />
travaux.<br />
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